时间：2025/4/28 17:50:15
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ZM4750APF-M是一种高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），专为高效率、低损耗应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理场景。ZM4750APF-M广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等领域。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有出色的热性能和电气特性，可显著提升系统效率并降低功耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：6nC
输入电容(Ciss)：1850pF
总功耗(Ptot)：92W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-263(表面贴装)
ZM4750APF-M具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，仅为3.5mΩ，有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，栅极电荷Qg仅为6nC，能够实现快速开关操作。
3. 优秀的热稳定性，适合长时间高温环境运行。
4. 良好的静电防护能力，确保在实际应用中的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 封装为TO-263，支持表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产和高效散热。
ZM4750APF-M适用于以下典型应用场景：
1. 开关模式电源(SMPS)的设计与优化。
2. 各类DC-DC转换器，包括降压、升压及升降压拓扑。
3. 汽车电子中的负载切换和电机控制。
4. 工业设备中的电源管理和驱动电路。
5. 通信设备中的高效能电源解决方案。
6. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的功率转换模块。
ZM4750NF-P
IRFZ44N
FDP5500NL
STP55NF06L
