时间：2025/8/2 5:49:12
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TPH3R704PC 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率功率转换和电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：120A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（最大，@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
TPH3R704PC 具备多项优异特性，首先其采用先进的沟槽结构技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
其次，该MOSFET具有高电流承载能力，支持高达120A的漏极电流，在高功率应用中表现出色。
此外，TPH3R704PC 的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和使用。
其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的热性能，有助于散热，适用于高密度功率设计。
TPH3R704PC 还具有良好的短路耐受能力，增强了器件在恶劣工况下的可靠性。
由于其低门极电荷（Qg）和输出电容（Coss），该MOSFET在高频开关应用中也表现出色，减少了开关损耗，适用于高频率DC-DC转换器和同步整流器。
综合这些特性，TPH3R704PC 是一款适用于工业电源、电动汽车、服务器电源和高性能计算设备等领域的高性能功率MOSFET。
TPH3R704PC 主要应用于以下领域：
在DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器，用于提高转换效率并降低功率损耗。
在服务器电源和通信电源系统中作为高电流输出开关，确保稳定高效的电源供应。
在电机驱动和H桥电路中用于控制直流电机的正反转和调速。
在电池管理系统中作为负载开关，实现对电池充放电过程的控制。
在电动汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC变换器中，用于实现高效率能量转换。
在光伏逆变器和储能系统中作为功率开关，支持高效能量传输和管理。
其高可靠性和热性能使其适用于工业自动化、UPS（不间断电源）和高功率LED照明系统等应用场景。
Si7461DP, NexFET CSD17501F5, IRF1324S-7PPBF, TPH4R004ND
