类型：GaN射频功率晶体管
　　频率范围：DC至4GHz
　　输出功率：45W（典型值）
　　漏极效率：>70%（典型值）
　　增益：>13dB
　　工作电压：28V
　　输入阻抗：50Ω
　　封装类型：陶瓷扁平封装（F/P）

CGH40045F/P基于氮化镓技术，具有优异的高频性能和高功率密度，能够在高频率下提供稳定的输出功率。该晶体管的漏极效率高达70%以上，使其在高功率应用中具有较低的功耗和发热，从而提高整体系统效率。此外，CGH40045F/P具有高线性度和低失真，适用于对信号质量要求较高的通信系统。该器件具有宽频率范围（DC至4GHz），可灵活应用于多种射频系统。陶瓷扁平封装提供了良好的热管理，确保器件在高功率下的长期稳定性和可靠性。CGH40045F/P还具有高输入阻抗和良好的匹配特性，简化了外围电路的设计。
　　该晶体管具有出色的耐用性和抗干扰能力，适用于严苛的工作环境。其高功率密度和小型化设计使得它在空间受限的应用中具有明显优势。此外，CGH40045F/P的高增益（13dB以上）减少了前级放大器的需求，降低了系统复杂性和成本。由于GaN材料的特性，该晶体管在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，延长了使用寿命并提高了系统可靠性。

CGH40045F/P广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波通信和WiMAX系统。其高功率和高效率特性使其成为工业射频加热设备和射频能量应用的理想选择。此外，该器件适用于雷达、测试设备和广播系统中的射频放大模块。由于其宽频率范围，CGH40045F/P也可用于多频段通信设备和软件定义无线电（SDR）系统。在5G通信部署中，该晶体管可用于增强型移动宽带（eMBB）和毫米波回传系统，提供高效的射频功率放大解决方案。

CGH40025F, CGH40065F, CMPA2735030S