K6R4008C1D-UI10 是一款由三星(Samsung)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为4Mbit(512K x 8位),采用高速CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片的访问时间仅为10ns,能够满足高性能系统的需求。
容量:4Mbit (512K x 8)
组织方式:x8
电源电压:3.3V
访问时间:10ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
封装尺寸:54-pin
接口类型:并行
时序控制:异步
最大工作频率:100MHz
功耗:典型值为180mA(待机模式下为10mA)
K6R4008C1D-UI10 是一款高性能异步SRAM芯片,具有高速访问时间和低功耗特性,适用于各种工业和通信设备。其10ns的访问时间使其能够在高速数据处理环境中稳定运行。该芯片采用CMOS技术制造,能够在保持低功耗的同时提供高速性能。此外,该芯片支持异步操作,适应性强,可以与多种处理器和控制器无缝连接。其54引脚TSOP封装设计不仅节省空间,还提高了散热性能,适合在紧凑型电子设备中使用。该芯片在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)能够保持稳定工作,适用于恶劣环境下的应用。
另外,K6R4008C1D-UI10 提供了广泛的安全性和可靠性保障,包括低噪声设计和抗干扰能力,确保数据在高速传输过程中不会出错。同时,该芯片具备自动省电模式,在不使用时可降低功耗,延长系统电池寿命。其CMOS结构还提供了较高的抗静电能力和热稳定性,确保芯片在长期运行中保持良好的性能。
该芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信模块、数据采集系统、嵌入式系统、图像处理设备、测试仪器以及高端消费类电子产品中,特别是在需要高速缓存和临时数据存储的场合。
CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416S10PFG, IS61LV25616-10B4BLI, A61LV0256DL10D