时间：2025/7/22 17:41:43
阅读：14
K6R4008C1D-UI10 是一款由三星（Samsung）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为4Mbit（512K x 8位），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片的访问时间仅为10ns，能够满足高性能系统的需求。
容量：4Mbit (512K x 8)
组织方式：x8
电源电压：3.3V
访问时间：10ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：54-pin
接口类型：并行
时序控制：异步
最大工作频率：100MHz
功耗：典型值为180mA（待机模式下为10mA）
K6R4008C1D-UI10 是一款高性能异步SRAM芯片，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于各种工业和通信设备。其10ns的访问时间使其能够在高速数据处理环境中稳定运行。该芯片采用CMOS技术制造，能够在保持低功耗的同时提供高速性能。此外，该芯片支持异步操作，适应性强，可以与多种处理器和控制器无缝连接。其54引脚TSOP封装设计不仅节省空间，还提高了散热性能，适合在紧凑型电子设备中使用。该芯片在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）能够保持稳定工作，适用于恶劣环境下的应用。
另外，K6R4008C1D-UI10 提供了广泛的安全性和可靠性保障，包括低噪声设计和抗干扰能力，确保数据在高速传输过程中不会出错。同时，该芯片具备自动省电模式，在不使用时可降低功耗，延长系统电池寿命。其CMOS结构还提供了较高的抗静电能力和热稳定性，确保芯片在长期运行中保持良好的性能。
该芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信模块、数据采集系统、嵌入式系统、图像处理设备、测试仪器以及高端消费类电子产品中，特别是在需要高速缓存和临时数据存储的场合。
CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416S10PFG, IS61LV25616-10B4BLI, A61LV0256DL10D
