时间：2025/7/31 18:07:52
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RRS100P03HZGTB 是一款由ROHM（罗姆）半导体公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。这款MOSFET是P沟道类型，设计用于在低电压条件下提供高电流能力，适用于如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用场景。RRS100P03HZGTB采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOP或DFN封装），非常适合高密度电路设计。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大为3.0mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：表面贴装型（SOP/DFN）
RRS100P03HZGTB 采用了先进的沟槽式MOSFET结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有快速开关能力，降低了开关损耗，使其非常适合高频开关应用。
该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其表面贴装封装不仅节省了PCB空间，还提高了散热性能，便于自动化生产。RRS100P03HZGTB 还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够承受一定的过载和瞬态条件，提高了系统的可靠性和寿命。
由于其低Rds(on)和高电流能力，RRS100P03HZGTB 可用于高效率的DC-DC转换器、负载开关、同步整流器和电机控制电路。此外，其快速恢复特性使其适用于电池管理系统（BMS）和高功率密度电源模块。
RRS100P03HZGTB 主要应用于需要高效率和高电流能力的电源系统中。例如，在笔记本电脑、服务器、通信设备和工业控制系统中的DC-DC转换器中，该MOSFET可用于提高转换效率和减小电源模块的尺寸。此外，它还广泛用于电池管理系统（BMS）中的负载开关控制，以实现对电池的高效充放电管理。
该器件也适用于高功率电机驱动器和逆变器，提供高效的功率开关能力。在LED照明系统和电源适配器中，RRS100P03HZGTB 可用于同步整流，提高整机效率。另外，在车载电子系统中，该MOSFET可用于电源管理和负载切换，确保系统在高电流需求下的稳定运行。
Si4410BDY-T1-GE3, IPP045P03BGATMA1
