时间：2025/11/12 20:28:59
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K6R4004C1C-JE15是一款由三星（Samsung）公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于低功耗、高性能的异步SRAM产品系列，广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中。K6R4004C1C-JE15采用4Mbit（256K x 16位）的组织结构，适合用于网络设备、通信模块、工业控制、嵌入式系统以及各类需要暂存大量数据的场景。其封装形式为44引脚TSOP（Thin Small Outline Package），具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电路板设计。该芯片工作电压为3.3V，符合现代低电压供电标准，在保证性能的同时有效降低系统功耗。此外，K6R4004C1C-JE15支持商业级温度范围（0°C 至 +70°C），适用于常规环境下的稳定运行。由于其成熟的工艺和可靠的性能表现，这款SRAM在许多老旧但仍在服役的设备中依然占据重要地位，是许多工程师进行维护与替换时关注的重点型号之一。
容量：4Mbit
组织方式：256K x 16
工作电压：3.3V ± 0.3V
访问时间：15ns
封装类型：44-TSOP
工作温度：0°C ~ +70°C
接口类型：并行异步
读写模式：异步SRAM
电源电流（最大）：约 90mA（典型值）
输入/输出逻辑电平：LVTTL 兼容
地址建立时间：≥ 15ns
数据保持时间：≥ 2ns
K6R4004C1C-JE15具备出色的访问速度和稳定性，其15纳秒的访问时间使其能够在高频系统总线环境中高效运行，满足对实时性要求较高的应用场景需求。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，不仅提升了集成度，还显著降低了静态和动态功耗，尤其适合长时间连续工作的设备使用。其内部结构为全静态设计，无需刷新操作即可维持数据，简化了系统控制逻辑，提高了整体系统的可靠性。所有输入信号均在TTL电平下工作，兼容性强，能够无缝对接多种微处理器、DSP或FPGA等主控单元，减少了电平转换电路的设计复杂度。
该器件支持完整的读写功能，具有双向三态数据总线，允许直接连接到系统数据总线上，便于构建多设备共享的并行架构。片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号提供了灵活的控制方式，支持字节写入（通过UB/LB控制高低字节）和批量写保护等功能，增强了数据操作的安全性和灵活性。在待机模式下，芯片可通过将片选信号置为高电平进入低功耗状态，此时功耗可降至几微安级别，非常适合间歇性工作的应用场合。
此外，K6R4004C1C-JE15具有高抗干扰能力和良好的噪声抑制特性，能够在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。其封装采用标准44引脚TSOP形式，引脚间距为0.8mm，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和返修。尽管该型号已逐步被更先进或更大容量的产品替代，但由于其长期供货历史和广泛应用基础，仍可在部分工业控制系统和通信基础设施中找到实际部署案例。
K6R4004C1C-JE15主要用于需要高速、可靠数据缓存的电子系统中。常见应用领域包括网络路由器、交换机中的报文缓冲存储，工业自动化控制器的数据暂存区，测试测量仪器的采样数据缓存，以及老式嵌入式系统的程序与数据存储扩展。由于其异步接口特性，它特别适用于与不带专用SRAM控制器的微处理器配合使用，例如某些ARM7、ColdFire或早期PowerPC架构的嵌入式平台。在通信设备中，该芯片可用于协议处理过程中的临时队列管理，提升信息转发效率。此外，在视频采集与显示系统中，也可作为帧缓冲的一部分，用于短时图像数据的暂存。虽然目前新型设计更多转向同步SRAM或PSRAM方案，但在设备维护、备件替换及小批量定制项目中，K6R4004C1C-JE15仍然具有一定的实用价值。
CY7C1041GN30-15ZSXI
IS61LV25616AL-15T
