K4W1G1646E-HC12是三星(Samsung)推出的一款DDR4 ECC UDIMM内存模块,适用于服务器和工作站等需要高可靠性和高性能的计算环境。该芯片支持错误检查和纠正(ECC)功能,能够有效检测并修正单比特错误,从而提高系统的稳定性和数据完整性。
该产品采用先进的制程工艺制造,具备低功耗、高速度和高密度的特点,满足现代数据中心对性能和能效的要求。
容量:8GB
存储类型:DDR4 ECC
工作电压:1.2V
速度:2666 MT/s
引脚数:288 Pin
封装形式:UDIMM
工作温度:0°C 至 85°C
湿度范围:5% 至 95%(非冷凝状态)
K4W1G1646E-HC12具有以下主要特性:
1. 支持ECC功能,可自动检测和纠正数据传输中的单比特错误,从而显著提升数据完整性和系统可靠性。
2. 高速运行:支持2666 MT/s的数据传输速率,确保快速高效的数据处理能力。
3. 节能设计:工作电压为1.2V,符合现代节能标准,同时降低系统运行成本。
4. 稳定性高:经过严格的测试流程,能够在各种复杂环境下保持稳定的性能输出。
5. 密度优化:提供大容量存储解决方案,满足高性能计算需求。
6. 兼容性强:与主流服务器和工作站平台兼容,便于用户升级和扩展。
K4W1G1646E-HC12广泛应用于以下领域:
1. 数据中心:为大规模数据中心提供可靠的内存支持,确保关键任务的高效运行。
2. 云计算:助力云计算平台实现更强大的数据处理和存储能力。
3. 企业级服务器:用于构建高性能的企业级服务器,满足数据库、虚拟化和大数据分析等应用场景的需求。
4. 工作站:为图形设计、视频编辑和其他需要大量内存的工作负载提供支持。
5. 高性能计算(HPC):支持科学计算、工程模拟等高性能计算任务。
K4W1G1646F-HC12, K4W1G1646D-HC12