时间：2025/9/1 11:08:47
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IS42RM32400H-75BLI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，其规格为32M x 400位，采用高速同步动态存储器（SDRAM）技术，适用于需要高性能存储的工业和通信应用。该芯片支持多种操作模式，包括自动刷新和自刷新模式，以确保数据的完整性和持久性。IS42RM32400H-75BLI 封装在209引脚的BGA（球栅阵列）封装中，适用于紧凑型设计。
容量：32M x 400位
数据宽度：400位
封装类型：209-BGA
电压范围：2.3V - 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
最大时钟频率：166MHz
最大存取时间：7.5ns
最大功耗：1.2W
接口类型：并行接口
IS42RM32400H-75BLI 是一款高性能的DRAM存储器芯片，具有高容量和高速度的特点，适用于需要大容量存储的系统设计。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够适应多种电源设计需求。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在低功耗状态下保持数据完整性，适用于需要长时间运行的应用场景。
此外，IS42RM32400H-75BLI 采用209引脚的BGA封装，具有良好的热性能和电气性能，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。其最大时钟频率为166MHz，存取时间为7.5ns，能够满足高速数据处理的需求，广泛应用于通信设备、网络设备和工业控制系统中。
IS42RM32400H-75BLI 适用于多种高性能存储应用场景，包括但不限于通信设备、网络设备、工业控制系统、测试设备和嵌入式系统。其高速度和大容量的特点使其特别适合需要大量数据缓存和快速存取的应用，如高速数据采集系统、网络交换设备和工业自动化控制系统。
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