FN15X153K250PNG是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的效率和可靠性。
这款功率MOSFET为N沟道增强型,适合用作负载开关或同步整流器中的关键元件。其封装形式为PDFN(塑封小外形晶体管),具有良好的散热性能,同时占用较小的PCB面积。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):150V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷(Qg):60nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装:PDFN
FN15X153K250PNG具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有效降低传导损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合,减少开关损耗。
3. 良好的热稳定性,能够承受较高的结温,确保在极端环境下的可靠运行。
4. 小型化封装设计,有助于简化PCB布局并节省空间。
5. 强大的雪崩能力和抗静电能力(ESD),提升器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于多种电力电子场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)的设计,例如AC-DC适配器、充电器等。
2. 各类电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流功能。
4. 电池保护与管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换和信号隔离。
6. 汽车电子领域,如车载逆变器、LED照明驱动等。
IRF840, STP160N10F5, FDP5800