时间：2025/7/26 6:01:10
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2N6581是一款N沟道功率MOSFET晶体管，常用于需要高功率开关能力的电子电路中。这款MOSFET具备高耐压和大电流承载能力，适合用于电源转换、电机控制以及功率放大等应用。其封装形式为TO-220，便于安装在散热片上以提高热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：5A
功耗(Pd)：94W
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on))：约0.65Ω
增益带宽：高增益设计
封装形式：TO-220
2N6581具有较高的电压和电流承受能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其低导通电阻特性使其在导通状态下损耗较小，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关应用。由于其TO-220封装设计，可以轻松连接到散热片上，以确保在高负载条件下也能保持良好的散热性能。
该MOSFET的栅极驱动要求相对较低，能够与多种控制电路兼容。同时，2N6581的高耐用性和可靠性使其成为工业和消费类电子产品中广泛使用的功率器件。
2N6581通常用于电源供应器、DC-DC转换器、马达控制器、LED驱动电路以及各种开关电源电路中。它也适用于需要高效能功率管理的自动化控制系统和消费电子产品。
IRF630, 2N6763, BUZ11
