K4R271669D 时间：2025/11/13 18:59:23 阅读：21

K4R271669D是一款由三星（Samsung）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于DDR3 SDRAM系列。该器件广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备中，例如个人计算机、笔记本电脑、服务器以及嵌入式系统等。K4R271669D采用先进的半导体制造工艺，具有较高的集成度和稳定性，能够在较小的物理空间内提供可靠的内存存储能力。这款芯片的工作电压为标准的1.5V，符合JEDEC DDR3规范，支持自动刷新和自刷新模式，能够在待机状态下降低功耗，适用于对能效有一定要求的应用场景。其封装形式通常为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），有助于提高信号完整性和散热性能，同时适应高密度PCB布局需求。作为一款成熟的DDR3内存颗粒，K4R271669D在市场中曾被大量用于内存条模组的生产，尤其是在早期的台式机和移动平台中较为常见。

参数

类型：DDR3 SDRAM
　　密度：2 Gb（256M x 8 / 128M x 16）
　　工作电压：1.5V ±0.075V
　　数据速率：最高支持1600 Mbps（DDR3-1600）
　　组织结构：根据配置可为256M x 8 或 128M x 16
　　封装类型：FBGA（66球或78球，具体取决于版本）
　　温度范围：商业级（0°C 至 +85°C）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　输入/输出逻辑：SSTL_15
　　时钟频率：最高800 MHz（双倍数据速率）
　　访问时间：典型值约13.5 ns（CL=11, tCK=1.25ns）

特性

K4R271669D具备多项关键技术特性，使其在DDR3内存产品线中表现出色。首先，它采用了双倍数据速率（DDR）架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均能传输数据，从而有效提升数据吞吐率。其最大数据速率为1600 Mbps，对应于DDR3-1600标准，能够满足中高端计算平台对内存带宽的需求。该芯片内部存储阵列为2Gb，可通过x8或x16的数据宽度进行组织，灵活性较强，便于适配不同系统的总线设计。此外，K4R27169D支持多种低功耗操作模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh），在系统空闲时显著降低动态和静态功耗，延长移动设备的电池寿命。
　　该器件还集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用内部终端匹配，减少信号反射，提升高速信号完整性，尤其在多负载拓扑结构中表现优异。为了确保稳定运行，K4R271669D内置温度传感器与刷新控制机制，可根据芯片温度调整刷新周期，防止高温导致的数据丢失。其FBGA封装具有优良的热性能和电气性能，支持细间距布线，适合高密度主板设计。所有控制信号均以系统时钟的上升沿采样，简化了时序管理。此外，该芯片支持部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）功能，允许用户选择性地关闭部分存储阵列以进一步节能。整体而言，K4R271669D在性能、功耗与可靠性之间实现了良好平衡，是DDR3时代广泛应用的核心内存元件之一。

应用

K4R271669D主要用于各类需要中等容量高速内存的电子产品中。最常见的应用场景是台式机和笔记本电脑中的DIMM或SO-DIMM内存条，作为基础存储单元组成4GB或8GB模块。由于其稳定的性能和良好的兼容性，也被广泛用于工业控制计算机、网络路由器、交换机、打印机及其他嵌入式计算设备。在消费类电子产品方面，该芯片可用于智能电视、机顶盒和游戏主机等设备中，支撑操作系统和应用程序的运行。此外，在测试仪器、医疗设备和车载信息娱乐系统中也能见到其身影。得益于其支持自刷新和低功耗模式的能力，K4R271669D也适用于对能耗敏感的便携式设备。在服务器领域，虽然单颗容量相对较小，但在一些入门级或老式服务器内存模组中仍可能使用该型号颗粒。总体来看，尽管当前主流已向DDR4和DDR5过渡，但K4R271669D仍在维修替换、库存设备维护及特定工业场景中保持一定的市场需求。