时间：2025/6/29 15:15:02
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PHP33NQ20T是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。其额定电压为200V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备出色的电流处理能力。
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：3.3A
导通电阻(Rds(on))：1.6Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：1.4W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
PHP33NQ20T的突出特点包括以下几点：
1. 高耐压能力：支持高达200V的漏源电压，适用于高电压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻：在Vgs=10V条件下，Rds(on)仅为1.6Ω，有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能：由于较低的输入电容和输出电荷，使得该器件能够在高频应用中表现优异。
4. 热稳定性强：工作结温范围宽广(-55℃至+175℃)，适应多种恶劣的工作环境。
5. 小型化封装：TO-252封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装工艺，提升了生产效率。
该器件广泛应用于多种电力电子领域，例如：
1. 开关模式电源(Switching Mode Power Supply, SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 各种电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
4. 负载开关和保护电路，用于过流保护、短路保护等功能。
5. LED驱动电路，特别是在需要高效能和高可靠性的照明系统中。
STP3NC20T5,
FDP3320,
IRFZ34N,
FQA33P20C
