类型：DRAM
　　容量：256Mb（32MB）
　　组织结构：x8
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　引脚数：54
　　最大访问时间：5.4ns（在VDD=3.3V时）
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：2.0V（最低）

K4H560838J-LC/LCC 具有以下显著特性：高存储密度：256Mb的存储容量，适合处理较大的数据缓存需求；高速访问：最大访问时间为5.4ns，保证了快速的数据读写能力；低功耗设计：在3.3V供电下工作，并具有低待机电流特性，适合对功耗敏感的应用；宽工作温度范围：支持-40°C至+85°C的工业级温度范围，确保在恶劣环境下稳定运行；TSOP封装：提供较小的封装尺寸，适合空间受限的应用场景；兼容性强：符合行业标准的异步DRAM接口，易于集成到现有系统中。
　　此外，该芯片还支持多种刷新模式（如自动刷新和自刷新），以确保数据的完整性和可靠性，同时减少外部控制器的负担。

K4H560838J-LC/LCC 广泛应用于多种嵌入式和工业设备中，包括但不限于以下领域：工业控制系统：如PLC（可编程逻辑控制器）、自动化设备和数据采集系统；网络设备：如路由器、交换机和无线基站等通信设备；视频监控系统：用于存储视频流数据或作为缓存；消费类电子产品：如高清电视、数字机顶盒和游戏设备；测试与测量仪器：用于临时数据存储和高速缓存；物联网（IoT）设备：在需要中等容量存储的边缘计算设备中提供缓存支持。

IS42S16800B-6T、CY7C1041CV33-10ZSXC、MT58L256A2B4-6A