时间：2025/4/29 19:08:36
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IPC70N04S5L-4R2 是一款 N 沣道沟 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Infineon Technologies 生产。该器件采用 TOLL 封装，专门设计用于高功率密度和高效能应用。
此 MOSFET 具有低导通电阻 (RDS(on)) 和出色的开关性能，非常适合需要高频操作和低损耗的场景。由于其卓越的热特性和电气特性，IPC70N04S5L-4R2 广泛应用于电源管理、电机驱动、工业逆变器以及其他高电流电子设备中。
最大漏源电压：45V
连续漏极电流：130A
导通电阻：4.2mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：高达 1MHz
封装类型：TOLL
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻确保了高效率和低功耗。
2. 高额定电流支持大功率应用。
3. 采用 TOLL 封装，提供出色的散热性能和易于焊接的特性。
4. 快速开关能力使其适合高频应用。
5. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
6. 内置反并联二极管（体二极管）进一步优化了续流性能。
1. 服务器和通信电源中的 DC-DC 转换。
2. 电动车辆和混合动力汽车的动力系统控制。
3. 工业马达驱动和逆变器。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源转换设备。
5. 高效电源适配器和充电器。
6. 开关模式电源（SMPS）以及脉宽调制（PWM）控制器。
IPA60R086P7_T018
IPP060N10N4_L027
IPP060N04LSG_T018
