时间：2025/12/26 22:40:22
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Q2008DH3RP是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为高速数据线路和敏感电子元件提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件集成了多个TVS二极管，能够在极短时间内响应过压事件，将瞬态电压钳位于安全水平，从而有效防止因静电、雷击感应或开关噪声引起的损坏。Q2008DH3RP采用紧凑的封装形式，适用于空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。其低电容特性确保了对高速信号完整性的影响最小化，适合用于USB、HDMI、以太网和其他高速通信接口的保护电路中。该器件符合RoHS环保标准，并具备优异的可靠性和长期稳定性，广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
型号：Q2008DH3RP
制造商：Littelfuse
通道数：8
工作电压（VRWM）：5V
最大反向关断电压：5.5V
击穿电压（VBR）：6.4V @ 1mA
钳位电压（Vc）：10V @ 1A
峰值脉冲电流（IPP）：2A
电容值（Ct）：典型值0.3pF
ESD耐受能力：±30kV（IEC61000-4-2 Level 4）
接触放电：±30kV
空气放电：±30kV
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：UltraMIDP-8
安装方式：表面贴装（SMD）
极性：双向
回流焊兼容性：支持无铅回流焊接工艺
Q2008DH3RP具备出色的瞬态电压抑制性能，特别针对现代高速数字接口的防护需求进行了优化。其核心优势之一是超低结电容，典型值仅为0.3pF，这一特性显著降低了对高频信号传输路径的干扰，避免了信号衰减、反射或失真等问题，使其非常适合应用于USB 3.0、HDMI 2.0、DisplayPort等带宽要求严苛的接口电路中。由于这些接口的数据速率可高达数Gbps，任何额外引入的寄生电容都可能导致眼图闭合，影响通信质量，而Q2008DH3RP凭借其极低电容设计，在提供强大保护的同时几乎不影响原始信号完整性。
该器件采用双向极性结构，能够有效应对正负方向的瞬态过压事件，尤其适用于交流耦合或双极性信号线路。其响应时间小于1纳秒，可在ESD事件发生的瞬间迅速导通，将瞬态能量引导至地线，从而保护后端IC免受高压冲击。Q2008DH3RP符合IEC61000-4-2国际电磁兼容标准中的最高防护等级——Level 4，能承受±30kV接触放电和±30kV空气放电，展示了卓越的抗静电能力。此外，它还能经受IEC61000-4-4电快速瞬变脉冲群（EFT）测试，进一步增强了系统在恶劣电磁环境下的可靠性。
在结构方面，Q2008DH3RP采用UltraMIDP-8微型化封装，尺寸极为紧凑，典型封装尺寸约为1.0mm x 1.6mm x 0.55mm，非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等追求轻薄化的终端产品。该封装具有良好的热稳定性和机械强度，支持自动化贴片生产流程，并兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色制造的要求。每个通道均可独立工作，允许多路信号同时受到保护，提升了系统的集成度与布板灵活性。整体设计兼顾高性能、小型化与环境适应性，是高速接口ESD保护的理想选择。
Q2008DH3RP广泛应用于需要高等级静电防护的高速数据接口中，典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C、Micro-USB、耳机插孔等输入输出端口；在笔记本电脑和显示器中用于HDMI、DisplayPort、DVI等视频接口的信号线保护；也可用于工业通信模块如RS-485、CAN总线等易受电磁干扰的场合。此外，该器件适用于Wi-Fi模块、蓝牙天线前端、SD卡槽、触摸屏控制器等对信号完整性要求较高的电路节点。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）传感器接口的瞬态保护。由于其高可靠性与小型化特性，也常见于医疗电子设备、便携式测试仪器以及物联网（IoT）终端设备中，保障敏感芯片在复杂使用环境中稳定运行。
RCLAMP0524P
SRDA05-4
TPD1E10B06
