时间：2025/5/28 19:58:14
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DTC123JET1G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。此外，DTC123JET1G还具备优异的热特性和可靠性，适合在严苛环境下使用。
类型：N-Channel MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
漏源极击穿电压（BVDSS）：60V
连续漏极电流（Id）：120A
栅极电荷（Qg）：80nC
总电容（Ciss）：3500pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
DTC123JET1G采用了先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻，从而提升了整体效率。
该器件具备快速开关速度，有助于减少开关损耗，并且其出色的热性能确保了在高温环境下的稳定运行。
此外，DTC123JET1G还具有良好的短路耐受能力，进一步增强了系统的安全性与可靠性。
由于其优化的封装设计，这款MOSFET能够承受较高的电流负载，非常适合用于大功率应用场合。
DTC123JET1G广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器
- 电动工具和家用电器的电机驱动
- 工业自动化设备中的功率控制
- 汽车电子系统中的负载切换
- 大功率LED驱动器中的关键组件
凭借其卓越的性能和可靠性，这款器件已成为许多高要求应用的理想选择。
DTC124JET1G, DTC123JET2G, IRF123
