K4H560838F-TCBO 时间：2025/9/1 23:22:48 阅读：7

K4H560838F-TCBO 是由三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步DRAM类别。该芯片具有较高的存储密度和稳定性，适用于需要大容量内存的应用场景。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合嵌入到各种电子设备中。

参数

容量：256MB
　　组织结构：16M x 16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

特性

K4H560838F-TCBO 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，适用于多种电子设备。其主要特性包括：高容量存储能力，适用于需要大量数据缓存的应用场景；TSOP封装形式有助于降低功耗和提升热稳定性；支持宽电压范围，使其在不同的工作环境中保持稳定运行；5.4ns的快速访问时间，确保了数据读写的高效性；此外，该芯片具备工业级温度适应能力，可在极端温度条件下正常工作。
　　这款DRAM芯片的16M x 16组织结构使其能够高效处理大量数据，适用于图像处理、工业控制、网络设备以及消费类电子产品中的内存扩展需求。其低功耗设计不仅有助于延长设备的使用寿命，还能减少设备在长时间运行过程中的热量积累，从而提高整体系统的稳定性。
　　在实际应用中，K4H560838F-TCBO 可以作为嵌入式系统或独立存储模块的核心组件，用于存储临时数据、程序代码或缓存数据。它广泛应用于通信设备、视频监控系统、智能卡终端以及各类工业自动化设备中。该芯片的高可靠性和稳定性使其成为工业级设备的理想选择。