型号：TE28F800CEB120
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：8/16位可选数据总线
　　工艺技术：StrataFlash ETOX
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：120 ns
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵提供
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：100年（典型值）
　　接口类型：并行异步接口
　　命令集：支持JEDEC标准命令集
　　块结构：多块架构，包含多个独立可擦除扇区

TE28F800CEB120采用Intel专有的StrataFlash技术，这种技术结合了ETOX（EPROM Tunnel Oxide）单元结构与多级存储能力，在单个存储单元中可存储多个比特信息，从而提高密度同时保持NOR Flash的快速随机访问性能。该芯片具有高度的灵活性，支持8位或16位两种数据总线宽度的操作模式，用户可通过硬件引脚配置（如BYTE#引脚）选择所需的工作模式，适应不同主控处理器的接口需求。其120ns的访问时间使得它能够在中高速微处理器系统中直接执行代码（XIP, eXecute In Place），无需将程序加载到RAM中，有效节省系统资源并提升启动效率。
　　该器件具备完整的命令集支持，包括读取识别寄存器、自动选择、软件复位、编程和擦除操作等，所有操作均可通过标准的写入序列触发。内置的状态机可以监控编程和擦除操作的完成情况，并通过状态轮询或就绪/忙输出信号（RY/BY#）通知主机控制器，确保操作的可靠性和时序控制。为了增强数据安全性，芯片支持块锁定功能，允许用户对任意扇区进行写保护，防止误写或恶意篡改，特别适用于存储固件或安全密钥的应用。
　　在电源管理方面，TE28F800CEB120集成了内部电荷泵，可在标准3V电源下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部高压供电，简化了电源设计。同时支持低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗极低（通常小于30μA），适合电池供电或节能型系统。此外，该芯片具有良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，满足严苛环境下的应用需求。虽然该型号已不再作为主流产品推广，但其成熟的工艺和稳定的性能使其在工业自动化、网络设备、医疗仪器等领域仍有广泛应用。

TE28F800CEB120主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见应用场景包括工业控制系统中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块，这些系统依赖于稳定的启动代码和配置参数保存。在网络通信领域，该芯片被用于路由器、交换机、DSL调制解调器等设备中，用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统镜像以及设备配置文件，确保设备在重启后能够快速恢复运行。在消费类电子产品中，如机顶盒、打印机、POS终端等，也常采用此类NOR Flash来实现快速启动和程序执行。
　　此外，TE28F800CEB120适用于需要现场升级（Firmware Over-the-Air或本地升级）的应用场景，因其支持按扇区擦除和编程，允许局部更新而不影响其他数据区域，提升了系统维护的灵活性。在汽车电子中，尽管当前趋势转向更高集成度的存储方案，但在部分车载信息娱乐系统或车身控制模块中，仍可见其身影。由于具备高抗干扰能力和宽温工作特性，该芯片也被用于军事、航空航天及铁路交通等对可靠性要求极高的领域。
　　值得一提的是，该芯片支持XIP（就地执行）功能，使得CPU可以直接从Flash中运行代码，避免了将整个程序复制到RAM的过程，降低了对RAM容量的需求，提高了系统响应速度。这一特性使其特别适合资源受限的嵌入式平台。尽管目前新型串行Flash（如SPI NOR Flash）因体积小、成本低而逐渐普及，但在需要高随机读取性能和大地址空间连续访问的场合，TE28F800CEB120这类并行NOR Flash仍具优势。因此，在旧设备维护、备件替换和特定工业项目中，该芯片依然具有不可替代的作用。

MT28F800CBT-120
　　SST39VF800A-70-4C-PHE
　　AM29LV800DB-120EC
　　ISL29LV800AB-120