类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大）
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻温度系数：正温度系数
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

NDB708B MOSFET采用了先进的沟槽式设计，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，在高功率应用中表现出色。其TO-252封装形式具有良好的散热性能，有助于器件在高负载条件下保持稳定工作温度。
　　NDB708B还具备出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态条件下保持稳定，适用于需要高可靠性的应用场景。栅极驱动特性优化，确保快速开关操作，减少开关损耗。此外，该器件的温度系数特性使其在温度升高时导通电阻略有增加，有助于多个MOSFET并联使用时的电流均衡。
　　在保护特性方面，NDB708B具有过温保护和过流保护功能，能够在异常条件下提供额外的安全保障。这使得该器件非常适合用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等高要求环境中。

NDB708B广泛应用于各种功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。该器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景，例如在汽车电子系统中用于电池管理和电机控制，在工业设备中用于电源转换和负载控制。此外，NDB708B也可用于UPS（不间断电源）、服务器电源和电信设备中的功率调节电路。

NDS708B, FDD708B, IRF708B, IPD708B