时间：2025/7/22 10:57:33
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K4H560838E-GCCCT 是三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步DRAM系列。这款芯片广泛应用于嵌入式系统、工业设备、通信设备以及需要大容量内存支持的电子设备中。其设计旨在提供较高的存储密度和稳定的性能，适用于中高端数据处理和存储场景。
容量：256Mbit
组织方式：512K x 8
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
K4H560838E-GCCCT 是一款高性能的异步DRAM芯片，具备256Mbit的存储容量，适用于需要较大内存缓冲的应用场景。其512K x 8的组织方式使其在数据读写时具备良好的灵活性和效率。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），可以在多种电源环境下稳定工作，适用于电池供电设备和工业控制系统。
该DRAM芯片的访问时间为55ns，确保在中高速数据处理应用中提供良好的响应能力。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，该芯片支持-40°C至+85°C的工作温度范围，能够在恶劣的工业环境中保持稳定运行。
值得一提的是，K4H560838E-GCCCT 采用CMOS工艺制造，具备较低的功耗特性，适合对功耗敏感的应用场景。其异步控制接口设计简化了与主控芯片的连接，降低了系统设计的复杂度。同时，该芯片具备良好的抗干扰能力和数据保持能力，能够有效提升系统的稳定性与可靠性。
K4H560838E-GCCCT 主要应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品（如高端智能设备）以及嵌入式系统中。它常用于图像缓存、数据缓冲、程序存储等场景，适用于需要较高内存容量和稳定性能的系统设计。此外，该芯片也可用于打印机、扫描仪、视频采集设备等外设中，提供高效的数据处理支持。
IS42S16400J-6T, CY7C1041CV33-55B
