L6390DTR是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能双通道栅极驱动器IC,专为高边和低边MOSFET或IGBT的驱动应用而设计。该芯片采用高电压工艺制造,能够承受高达600V的电压,适用于半桥、全桥以及同步整流等拓扑结构。L6390DTR采用16引脚SO封装,具备良好的热性能和可靠性,适合用于电机控制、电源转换、工业自动化等高功率应用场景。
工作电压:最高600V
高压侧浮动电源电压:10~20V
低压侧电源电压:10~20V
输出电流(峰值):±400mA(典型值)
输入逻辑类型:CMOS/TTL兼容
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:16引脚 SO(宽体)
传播延迟时间:约100ns(典型值)
上升/下降时间:约30ns(典型值)
隔离电压(浮动部分):高达600V
驱动能力:适用于MOSFET和IGBT
L6390DTR具备多项先进的功能和设计特性,使其在高功率开关应用中表现出色。首先,其双通道架构允许独立控制高边和低边开关器件,从而实现更高的系统灵活性和效率。高边驱动器采用自举浮动电源技术,可支持高达600V的电压,无需额外的隔离电源,大大简化了外围电路设计。
其次,L6390DTR内置欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时自动关闭输出,防止因低电压导致的误动作和器件损坏。同时,其输出级具备高抗噪能力和短路保护功能,提高了系统稳定性。
此外,该芯片的输入信号兼容TTL和CMOS电平,便于与各种微控制器或PWM控制器连接。其传播延迟和上升/下降时间经过优化,确保高速开关操作的同时降低开关损耗。
在热管理方面,L6390DTR采用SO16宽体封装,具有良好的散热性能,能够在工业级温度范围内稳定工作(-40°C至+150°C),适用于严苛的工作环境。
L6390DTR广泛应用于各种需要高边和低边驱动的功率电子系统中。常见的应用包括电机驱动器、逆变器、DC-AC转换器、开关电源(SMPS)、工业自动化设备、电动车辆(EV)充电系统以及LED照明驱动电路等。在这些应用中,L6390DTR能够高效驱动MOSFET和IGBT,确保系统在高频率和高电压环境下稳定运行。
例如,在电机控制系统中,L6390DTR可以用于驱动H桥结构的MOSFET,实现电机的正反转和调速功能;在DC-AC逆变器中,该芯片可驱动半桥或全桥结构的开关器件,完成直流到交流的转换;在高功率LED照明系统中,L6390DTR可作为同步整流器的驱动芯片,提高电源转换效率。
由于其高耐压能力和良好的热性能,L6390DTR也非常适合用于工业设备中的电源管理模块,如伺服驱动器、不间断电源(UPS)和工业变频器等。
L6390N、L6390D、IR2110、IRS21844、FAN7382、NCP5109