时间：2025/9/2 3:45:27
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H5AN8G6NDJR-WMC是一款由SK Hynix生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高性能计算、服务器、网络设备和高端消费类电子产品中。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，具有较大的存储容量和较高的数据传输速率，适用于需要大量内存和高速处理的应用场景。
品牌：SK Hynix
型号：H5AN8G6NDJR-WMC
类型：DRAM
容量：8Gb
组织结构：x16
封装类型：BGA
工作电压：1.2V
接口类型：LPDDR4x
最大时钟频率：4266Mbps
数据速率：4266Mbps
工作温度范围：0°C至85°C
H5AN8G6NDJR-WMC是一款基于LPDDR4x技术的高性能DRAM芯片，具有以下显著特性：
首先，它提供了高达8Gb的存储容量，采用x16的组织结构，使其在数据吞吐方面表现出色，适合需要大量内存的应用。LPDDR4x接口支持高达4266Mbps的数据速率，使得该芯片在数据处理和传输方面具备高速性能，同时降低了功耗，适用于电池供电设备。
其次，H5AN8G6NDJR-WMC采用了低电压设计（1.2V），相比前代LPDDR4产品进一步降低了功耗，提高了能效，这对移动设备和高密度服务器等对功耗敏感的应用非常关键。此外，该芯片的BGA封装形式提供了良好的电气性能和热管理能力，确保在高负载下的稳定运行。
该芯片支持多种工作模式，包括自刷新、深度掉电模式和温度补偿自刷新等，有助于在不同应用场景下优化功耗管理。同时，其工作温度范围为0°C至85°C，适用于大多数工业和消费类应用环境，具有良好的环境适应性。
H5AN8G6NDJR-WMC广泛应用于高性能计算设备、服务器、高端智能手机、平板电脑、图形处理单元（GPU）、网络设备和嵌入式系统等领域。其高带宽和低功耗特性使其成为需要高速内存访问和能效优化的产品的理想选择。
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