制造商：Vishay Siliconix
　　产品系列：USW
　　二极管类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管共阴极
　　最大直流反向电压 (Vr)：100 V
　　最大平均整流电流 (Io)：1 A（每二极管）
　　峰值正向浪涌电流 (Ifsm)：30 A
　　最大正向电压 (Vf)：850 mV（在 1 A 条件下）
　　最大反向漏电流 (Ir)：400 μA（在 100 V, 25°C 条件下）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMF（Surface Mount Flat Lead）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　反向恢复时间 (trr)：典型值 1 ns（近似无反向恢复）
　　热阻 θja：约 250°C/W（依PCB布局而定）
　　湿度敏感等级（MSL）：1（260°C，无限时间）
　　符合标准：RoHS，无铅，符合 JESD-625 和 JESD-22 规范

USW1H0R1MDD1TD 的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的 P-N 结，从而显著降低了正向导通压降。在 1 A 的正向电流条件下，其最大正向压降仅为 850 mV，相比传统硅二极管可降低约 30%-40% 的导通损耗。这一特性使得该器件在电源转换效率至关重要的应用中表现优异，尤其适用于电池供电设备或需要长时间运行的低功耗系统。由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，反向恢复时间接近于零（典型值为 1 ns），有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统的整体动态响应性能。
　　该器件集成了两个独立的肖特基二极管并以共阴极方式连接，这种结构特别适用于双路电源 ORing 应用或双通道同步整流电路中，能够实现冗余电源选择或提高输出电流能力。每个二极管可承受高达 1 A 的连续正向电流，并能承受 30 A 的峰值浪涌电流，具备较强的瞬态过载能力，增强了系统在启动或负载突变情况下的鲁棒性。其最高可达 100 V 的反向重复电压使其适用于多种中低压电源拓扑结构，包括反向电压保护、续流二极管、极性保护等场景。
　　USW1H0R1MDD1TD 采用 SMF 表面贴装封装，尺寸小巧（通常约为 1.6 mm × 1.6 mm × 0.95 mm），非常适合高密度 PCB 布局，有助于缩小终端产品的体积。该封装具有良好的热传导性能，并支持回流焊工艺，兼容现代 SMT 生产线。此外，器件的工作结温范围从 -55°C 到 +150°C，可在极端环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及户外通信设备等严苛应用场景。Vishay 对该产品实施严格的品质控制流程，确保其高可靠性与长寿命，满足 AEC-Q101 等汽车级认证的相关要求（需查阅具体数据手册确认）。

USW1H0R1MDD1TD 广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流与保护功能的电子系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用于电池充电路径中的防反接保护和电源路径管理，利用其低正向压降减少能量损失，延长电池续航时间。在 DC-DC 转换器电路中，该器件可用作同步整流的续流二极管，替代传统 P-N 结二极管，显著提升转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下效果更为明显。
　　在工业电源系统中，USW1H0R1MDD1TD 可用于多路电源冗余设计中的 ORing 电路，确保当主电源失效时备用电源能无缝接管负载供电，避免系统断电。其双二极管共阴极结构非常适合此类应用，简化了电路设计并提高了可靠性。此外，在交流信号整流、电压钳位、ESD 保护和瞬态电压抑制电路中，该器件也能发挥重要作用，凭借其快速响应能力和低漏电流特性，有效保护后续电路免受异常电压冲击。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源单元中，执行电源整流与反向保护功能。其宽温工作范围和高可靠性满足汽车环境对元器件的严格要求。同时，在电信基础设施设备、网络路由器和光模块电源中，USW1H0R1MDD1TD 因其小型化和高效率优势，成为理想的选择。此外，该器件也适用于 LED 驱动电路中的防倒灌二极管，防止电流反向流动导致 LED 损坏。

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