型号：K4H511638L-LCB3
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3L SDRAM
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　存储容量：512 Mbit (64 MB)
　　组织结构：8M x16 x4 banks
　　数据总线宽度：16位
　　封装形式：FBGA-90
　　时钟频率：最高800MHz（等效数据速率为1600Mbps）
　　访问模式：突发式读写（Burst Mode）
　　刷新方式：自动/自刷新（Auto Refresh, Self Refresh）
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　存储温度：-55°C 至 +100°C
　　输入/输出电平：SSTL_135
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm（典型值）
　　引脚间距：0.8mm

K4H511638L-LCB3具备多项先进的技术特性，使其在低功耗与高性能之间实现了良好平衡。首先，该芯片采用了1.35V低电压设计，属于DDR3L（Low Voltage DDR3）类别，相比传统的1.5V DDR3内存可节省约15%的功耗，这对于便携式设备和高密度系统尤为重要。这种低电压操作不仅降低了整体系统的能耗，还减少了热量产生，有助于提升系统可靠性和延长元器件寿命。其次，该器件支持高达1600Mbps的数据传输速率（即PC3L-12800规格），通过双倍数据率技术在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，有效提升了带宽利用率。其内部架构为8M x16 x4 banks，提供512Mbit总容量，适用于中等内存需求的应用场景。
　　该芯片支持多种省电模式，包括部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）、深度掉电模式（Deep Power Down）以及温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self Refresh, TCSR），可根据系统负载动态调整功耗状态，进一步优化能效表现。此外，它具备良好的信号完整性和抗干扰能力，支持差分时钟输入（CK/CK#）、数据选通（DQS/DQS#）以及地址/命令信号的同步设计，确保高速数据传输下的稳定性。内置的片上终端电阻（On-Die Termination, ODT）功能可有效抑制信号反射，减少PCB布线中的阻抗匹配问题，简化电路设计。
　　K4H511638L-LCB3采用90球FBGA封装（Fine Pitch Ball Grid Array），具有较小的封装尺寸和优良的散热性能，适合高密度贴装和多层PCB布局。其符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保。该器件支持自动刷新和自刷新机制，能够在不同温度条件下维持数据完整性。同时，它具备较强的环境适应性，在0°C至+85°C的商业级温度范围内稳定工作，适用于大多数室内电子设备。凭借其高集成度、低延迟和可靠的读写性能，K4H511638L-LCB3成为许多嵌入式平台和多媒体处理系统的理想选择。

K4H511638L-LCB3主要应用于对功耗敏感且需要适度内存带宽的电子系统中。常见使用场景包括平板电脑、超轻薄笔记本电脑、一体机等便携式计算设备，这些设备依赖低电压内存来延长电池续航时间并控制发热。此外，该芯片也广泛用于智能电视、数字机顶盒、家庭网关和网络路由器等消费类电子产品中，作为主控芯片的配套内存，支持高清视频解码、多任务处理和流畅用户界面渲染。
　　在工业控制领域，K4H511638L-LCB3被用于工控主板、HMI（人机界面）终端、嵌入式控制器和自动化设备中，提供稳定的运行内存支持。由于其具备良好的温度适应性和可靠性，可在长时间连续运行环境下保持数据完整性。在网络通信设备如交换机、接入点和VoIP电话中，该内存可用于缓存数据包、提升响应速度和增强多连接处理能力。
　　另外，该芯片也被应用于某些车载信息娱乐系统（IVI）和医疗监测设备中，满足这些领域对安全性、稳定性和低功耗的综合要求。得益于其标准化接口和广泛的平台兼容性，K4H511638L-LCB3能够无缝集成到基于ARM、x86或其他架构的处理器系统中，配合SoC（如三星Exynos、Intel Atom、Qualcomm Snapdragon等）共同构建高效的嵌入式解决方案。其小尺寸封装也有利于空间受限的设计，适合紧凑型模块化产品开发。

K4B1G1646F-LC15
　　MTC4J51216AZ-16WJS