K2876 时间：2025/8/9 13:29:17 阅读：36

K2876是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率放大电路中。这款MOSFET具备高耐压、大电流和低导通电阻的特点，适用于各种高效率功率转换设备。K2876的封装形式通常为TO-220或TO-3P，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大值）
　　最大功耗（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电压范围：±20V
　　封装类型：TO-220

特性

K2876 MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻确保在高电流应用中减少功率损耗，提高系统效率。其次，60V的最大漏源电压额定值使其适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关。此外，该器件的高电流处理能力（12A）使其能够在负载变化较大的环境中稳定工作。K2876还具备良好的热稳定性，TO-220封装有助于快速散热，从而延长器件的使用寿命。最后，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种驱动电路兼容，提高了设计灵活性。
　　K2876在高频开关应用中表现出色，具有快速开关速度，从而减少了开关损耗并提高了整体效率。此外，该器件的内部结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少电路中的噪声干扰。这些特性使得K2876成为电源管理、工业控制和汽车电子等领域中的理想选择。

应用

K2876 MOSFET主要用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制器、电源开关、负载开关和功率放大器等应用。在工业控制系统中，它常用于高频开关电源和逆变器电路中，以提高转换效率和稳定性。在汽车电子领域，K2876可用于车载电源系统、电机驱动和LED照明控制等场景。此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑电源适配器、智能充电器和家用电器中的功率控制模块。