电容值：4700 pF (4.7nF)
　　容差：±2%
　　额定电压：16V
　　温度系数：NP0（C0G）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　介质材料：陶瓷
　　损耗因数（DF）：≤0.15%
　　绝缘电阻：≥10000MΩ
　　

RCH4764NP-162K 电容器采用了先进的陶瓷介质技术和多层结构设计，使其在宽温度范围内保持极其稳定的电容值。其NP0（C0G）介质具有±30ppm/°C的温度系数，确保在极端温度变化下电容值几乎不发生变化，非常适合用于对稳定性要求极高的高频电路和精密模拟电路。
　　此外，该器件的损耗因数（DF）极低，通常小于0.15%，这意味着其在高频应用中具有出色的能量传输效率和低发热特性。其高绝缘电阻（≥10000MΩ）确保了极低的漏电流，进一步提升了电路的稳定性与可靠性。
　　该电容器还具备良好的机械强度和抗热冲击性能，适用于自动贴片工艺，符合RoHS环保标准，广泛应用于通信设备、工业控制系统、测试仪器以及消费类电子产品中的关键电路部分。

RCH4764NP-162K 多层陶瓷电容器因其卓越的电气性能和稳定性，被广泛应用于多个高科技领域。在射频（RF）电路中，它常用于构建高精度滤波器、振荡器和匹配网络，确保信号传输的稳定性。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络和ADC/DAC电路中，该电容器的低温度漂移和高精度特性有助于提高测量精度和系统稳定性。
　　在工业控制和自动化系统中，这款电容器可用于电源去耦、信号调理和滤波，以确保设备在复杂电磁环境中稳定运行。此外，在便携式电子设备和消费类电子产品中，其小型化封装（0805）和低功耗特性使其成为理想的高频去耦和旁路电容选择。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，RCH4764NP-162K 也常用于航空航天、医疗电子和汽车电子等对元器件性能要求极为严苛的行业。

GRM21BR71C472KA01L, C0805C472K1RACTU, CL21B472KBQNNNE