型号：K4H510838J-BCCC000
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：8 Gb (1 G x 8)
　　数据宽度：8 bit
　　工作电压：1.5V ±0.075V
　　最大频率：800 MHz (DDR3-1600)
　　数据速率：1600 Mbps (PC3-12800)
　　刷新周期：64ms / 8192 rows
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　存储温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：BGA
　　引脚数：根据具体封装确定（典型为78-ball FBGA）
　　访问时间：约13.75ns (CL=11, tRCD=11, tRP=11)

K4H510838J-BCCC000具备多项先进特性，确保其在复杂多变的应用环境中仍能提供稳定高效的性能表现。首先，该芯片支持双倍数据率技术（DDR），即在时钟信号的上升沿和下降沿均传输数据，从而实现两倍于传统SDRAM的数据吞吐能力。这一机制显著提升了系统的整体带宽，满足了高性能处理器对快速数据访问的需求。
　　其次，该器件集成了多种电源管理功能，包括自动预充电、深度掉电模式和温度补偿自刷新（TCSR）。这些功能可根据系统负载动态调整功耗，在空闲或轻载状态下大幅降低能耗，延长移动设备电池寿命，并减少数据中心的散热压力。例如，自刷新模式允许DRAM在不依赖外部控制器的情况下维持数据内容，特别适用于待机或休眠状态。
　　再者，K4H510838J-BCCC000具备优良的时序控制和信号完整性设计。其内部延迟锁定环（DLL）用于精确对齐输入/输出时钟与数据信号，确保高速操作下的可靠数据捕获。同时，片上终端电阻（ODT）技术减少了信号反射和串扰，提高了总线稳定性，尤其是在多颗粒并行工作的内存模组中效果显著。
　　此外，该芯片支持可编程CAS延迟（CL）、RAS到CAS延迟（tRCD）、行预充电时间（tRP）等关键时序参数，使系统设计者能够根据实际应用需求进行优化配置，平衡性能与稳定性。其内置错误检测逻辑也有助于提升数据可靠性，防止因外部干扰导致的数据损坏。
　　最后，K4H510838J-BCCC000遵循严格的工业标准，通过了JEDEC认证，保证与其他DDR3组件的兼容性。其高集成度和成熟制造工艺也带来了良好的成本效益，使其成为主流计算平台的理想选择。

K4H510838J-BCCC000广泛应用于各类需要高性能、低功耗内存支持的电子系统中。最常见的用途是作为台式机和笔记本电脑中的DIMM或SO-DIMM内存条的核心存储单元，配合内存控制器实现操作系统和应用程序的高速数据交换。其高带宽和低延迟特性使得系统在运行大型软件、多任务处理或高清视频编辑时表现出色。
　　在网络通信领域，该芯片常用于路由器、交换机和基站设备中，支撑数据包缓存、路由表存储和实时流量处理等功能。在这些场景下，快速响应和高并发访问能力至关重要，而K4H510838J-BCCC000的DDR3架构正好满足此类需求。
　　在服务器和工作站中，多个K4H510838J-BCCC000芯片可组合成大容量ECC内存模块，用于保障关键业务系统的数据完整性和系统稳定性。尤其在数据库服务器、虚拟化平台和云计算基础设施中，这类内存组件发挥着不可替代的作用。
　　此外，该芯片也被广泛用于工业自动化设备、医疗成像系统、数字标牌和高端消费类电子产品中。例如，在智能电视或游戏主机中，它可以作为图形处理器的显存或系统主存，支持流畅的用户界面渲染和多媒体解码。
　　由于其稳定的温度特性和长期供货保障，K4H510838J-BCCC000也适用于工业级和车载级应用场景。即使在高温、振动或电磁干扰较强的恶劣环境下，该器件依然能够保持可靠运行，因此受到许多嵌入式系统设计工程师的青睐。

K4B1G0846F-BCKA
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