容量：16Mbit（1MB）
　　组织结构：1M x 16位
　　电源电压：3.3V（VCC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装引脚数：56引脚
　　访问时间（tRC）：90ns
　　读取时间（tRC）：90ns
　　写入时间（tWC）：90ns
　　擦除时间（tERA）：最大1秒
　　编程时间（tPROG）：最大100μs
　　待机电流：最大10mA
　　读取电流：最大100mA

LH28F160BVHB-TTL90 是一款高性能的Flash存储器芯片，具备多项先进的技术特性。首先，它采用了Intel的StrataFlash技术，使得芯片在读取、写入和擦除操作中具有更高的效率和稳定性。StrataFlash技术还支持多层存储，提高了芯片的存储密度和可靠性。
　　其次，LH28F160BVHB-TTL90 支持异步操作模式，能够与多种嵌入式系统的总线接口兼容，简化了系统设计的复杂度。此外，该芯片具有自动擦除和编程功能，用户无需外部控制器即可完成擦除和写入操作，提高了使用的便利性。
　　该芯片还支持多个保护机制，包括硬件写保护和软件写保护，防止误操作导致的数据丢失或损坏。同时，芯片内置了错误检测和纠正机制，确保数据的完整性和可靠性。
　　LH28F160BVHB-TTL90 采用了低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合电池供电和对功耗敏感的应用场景。其TSOP封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适用于紧凑型嵌入式设备。

LH28F160BVHB-TTL90 广泛应用于各类嵌入式系统中，特别是在需要非易失性存储器且对存储容量有一定要求的场合。例如，在工业控制设备中，该芯片可用于存储固件、配置数据和用户数据；在通信设备中，可用于存储协议栈和系统参数；在消费电子产品中，如智能家电、电子阅读器和便携式多媒体设备，LH28F160BVHB-TTL90 也可提供可靠的存储解决方案。
　　此外，由于该芯片支持工业级温度范围和高可靠性设计，因此也非常适用于汽车电子系统、医疗设备和安防监控系统等对稳定性和耐用性要求较高的应用场景。

LH28F160BFHB-TTL90, LH28F160S5T-90, LH28F320BVHE-TTL90