类型：DDR3L SDRAM
　　容量：64M x 32 (2Gb)
　　电压：1.35V ± 0.1V (VDD/VDDQ)
　　工作温度：0°C 至 +95°C (结温)
　　封装：96-ball FBGA (8mm x 12mm)
　　引脚间距：0.8mm
　　数据速率：1600 Mbps (DDR3L-1600)
　　时钟频率：800 MHz
　　预取架构：8n
　　突发长度：BL8 (固定或通过模式寄存器设置)
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)
　　输入/输出逻辑：SSTL_135
　　地址位数：A0-A13
　　行地址位数：BA0-BA2 (共3组Bank Address)
　　列地址位数：CA0-CA9
　　功能引脚包括：CK/CK#、DQS/DQS#、DM、ODT等标准DDR3信号

K4G20325FD-FC28 具备多项先进的低功耗与高性能特性，使其在同类DDR3L产品中具有显著优势。
　　首先，该芯片采用1.35V低电压设计，相较于传统DDR3使用的1.5V供电，功耗降低约20%以上，这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少散热需求。其内部核心基于8n预取架构，结合源同步接口技术，确保在高频下仍能保持稳定的数据传输能力。此外，器件支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）以及温度补偿自刷新（TCSR），可根据环境温度动态调整刷新周期，在高温条件下增加刷新频率以保证数据完整性，而在低温时降低刷新率以节省功耗。
　　其次，K4G20325FD-FC28 提供出色的信号完整性和抗干扰能力。它采用了差分时钟（CK/CK#）和双向选通脉冲（DQS/DQS#）机制，配合数据掩码（DM）功能，支持字节写入屏蔽，提升系统灵活性与效率。片上终端（On-Die Termination, ODT）功能可在读写操作期间启用内部匹配电阻，有效抑制信号反射，改善高速信号质量，尤其在多负载或长走线设计中表现优异。
　　再者，该器件具备良好的兼容性与可扩展性，符合JEDEC标准规范，支持多种封装堆叠配置（如PoP或SiP应用），便于集成到空间受限的移动平台中。制造工艺方面，采用先进深亚微米制程技术，提升了集成度与可靠性，并通过了严格的工业级温度测试，可在宽温范围内稳定运行。整体而言，K4G20325FD-FC28 在性能、功耗与稳定性之间实现了良好平衡，是中高端移动计算与嵌入式系统的理想选择之一。

K4G20325FD-FC28 主要应用于对内存带宽和能效有较高要求的便携式电子设备和嵌入式系统。
　　在消费类电子产品领域，该芯片常见于中高端智能手机和平板电脑中，作为主系统内存使用，支持多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行等高负载应用场景。其低电压特性有助于延长设备电池寿命，同时满足现代操作系统（如Android、iOS）对内存容量与速度的需求。在超极本（Ultrabook）和轻薄笔记本电脑中，该颗粒也被用于构建低功耗内存模块，配合Intel的节能平台实现全天候续航能力。
　　在工业控制与网络通信设备方面，K4G20325FD-FC28 可用于工控主板、嵌入式控制器、路由器、交换机等产品中，提供可靠的运行内存支持。其宽温工作范围（结温可达95°C）使其能够适应较为严苛的工业环境，例如高温车间或户外设备机箱内。
　　此外，该芯片也适用于某些医疗电子设备、车载信息娱乐系统（IVI）及数字标牌（Digital Signage）等需要长期稳定运行的场合。由于其采用标准FBGA封装，易于进行自动化贴装与回流焊接，适合大规模量产。结合三星品牌的品质保障与供货稳定性，K4G20325FD-FC28 成为许多OEM厂商在设计阶段优先考虑的内存解决方案之一。

MT41K256M16TW-125:A
　　EM68A160TS-6D4F
　　H5TQ4G63CFR-RDC