时间：2025/9/14 22:38:46
阅读：7
BUK9M12-60EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源应用而设计，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于需要高可靠性和高功率密度的场合。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提供卓越的开关性能和导通损耗优化。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：250W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
极性：N沟道
BUK9M12-60EX具备多个高性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为4.5mΩ，在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（60V）使得该器件适用于多种电源转换系统，包括DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
此外，该MOSFET采用了Trench沟槽技术，不仅提升了导通性能，还增强了器件的稳定性和耐用性。其TO-263（D2PAK）表面贴装封装提供了良好的热管理能力，便于在高功率应用中进行散热处理，同时简化了PCB布局。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的10V和12V驱动电压，适用于多种控制器和驱动IC。此外，其高电流承载能力（高达120A）使其适用于大功率负载管理场合，如电动工具、工业自动化和汽车电子系统。
由于其封装形式为表面贴装型，BUK9M12-60EX在自动贴片和回流焊工艺中表现良好，适用于大规模生产和高可靠性要求的应用。该器件的工作温度范围广泛，支持从-55℃到+175℃的极端环境条件，确保在各种工业和汽车环境中稳定运行。
BUK9M12-60EX广泛应用于各种高功率密度和高效率需求的电源系统，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电动工具、工业电源、电池管理系统（BMS）以及汽车电子控制系统等。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率开关电源中表现出色，同时其高可靠性也使其成为汽车电子系统中的理想选择。
IRF1405, SiS120N06, IPB06N120C6, BUK9K12-60E
