CL21B182KBANNN是一种多层陶瓷电容器(MLCC),属于C0G/NP0介质类型的电容器。该型号具有高稳定性和低温度系数,适用于需要高频率和高稳定性的电路应用。它采用贴片封装形式,适合表面贴装技术(SMT),广泛应用于通信设备、消费电子和工业控制领域。
容值:18pF
额定电压:50V
公差:±0.3pF
温度特性:C0G/NP0
封装:0402英寸
尺寸:1.0mm x 0.5mm
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
直流偏置特性:无显著变化
ESR:≤10mΩ
CL21B182KBANNN采用C0G介质材料,具备优异的温度稳定性,其容量随温度的变化非常小,仅为±30ppm/℃。这种特性使得它在高频滤波、振荡电路以及匹配网络中表现出色。
此外,由于其极低的ESR和 ESL(等效串联电感),它非常适合用于射频和微波电路中的信号调理。
该电容器还支持自动化的表面贴装生产工艺,提高了大批量生产中的可靠性和效率。同时,它的封装小巧轻便,能够节省PCB空间,特别适合小型化设计需求。
CL21B182KBANNN主要用于高频和射频电路,例如:
1. 滤波器设计中的耦合与解耦;
2. 高速数据传输系统中的阻抗匹配;
3. 射频模块中的谐振和滤波功能;
4. 高精度振荡器和定时电路;
5. 医疗设备、工业控制及汽车电子中的高性能电路;
6. 蓝牙、Wi-Fi和其他无线通信模块中的信号调节。
CL21B182KBBNNE
GRM1555C1H180KA01D
C1608X5R1C18P0J025AA