时间：2025/6/17 0:09:08
阅读：22
SI2367DS-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管5060-2（TSSOP2）封装，适用于需要高效能和高频率开关的场景。其低导通电阻特性使其成为便携式电子设备、电池管理以及负载开关等应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：8nC（典型值）
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃至+150℃
SI2367DS-T1-GE3具有非常低的导通电阻，可以显著减少导通损耗，从而提高整体效率。此外，该器件还具备快速开关能力，适合高频应用场合。它的封装形式紧凑，有助于节省PCB空间，非常适合对体积和重量有严格要求的设计。
同时，它具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定性能。由于采用了先进的半导体工艺制造，这款MOSFET在可靠性和一致性方面表现出色。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动器、电源管理模块等领域。尤其在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备中的电源管理部分，SI2367DS-T1-GE3因其高效和小型化的特点而备受青睐。
SI2326DS, SI2343DS
