SI2367DS-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管5060-2(TSSOP2)封装,适用于需要高效能和高频率开关的场景。其低导通电阻特性使其成为便携式电子设备、电池管理以及负载开关等应用的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:4.4A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:8nC(典型值)
总功耗:1.1W
工作温度范围:-55℃至+150℃
SI2367DS-T1-GE3具有非常低的导通电阻,可以显著减少导通损耗,从而提高整体效率。此外,该器件还具备快速开关能力,适合高频应用场合。它的封装形式紧凑,有助于节省PCB空间,非常适合对体积和重量有严格要求的设计。
同时,它具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定性能。由于采用了先进的半导体工艺制造,这款MOSFET在可靠性和一致性方面表现出色。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动器、电源管理模块等领域。尤其在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备中的电源管理部分,SI2367DS-T1-GE3因其高效和小型化的特点而备受青睐。
SI2326DS, SI2343DS