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SI2367DS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/17 0:09:08 查看 阅读:22

SI2367DS-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管5060-2(TSSOP2)封装,适用于需要高效能和高频率开关的场景。其低导通电阻特性使其成为便携式电子设备、电池管理以及负载开关等应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:4.4A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  总功耗:1.1W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SI2367DS-T1-GE3具有非常低的导通电阻,可以显著减少导通损耗,从而提高整体效率。此外,该器件还具备快速开关能力,适合高频应用场合。它的封装形式紧凑,有助于节省PCB空间,非常适合对体积和重量有严格要求的设计。
  同时,它具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定性能。由于采用了先进的半导体工艺制造,这款MOSFET在可靠性和一致性方面表现出色。

应用

该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动器、电源管理模块等领域。尤其在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备中的电源管理部分,SI2367DS-T1-GE3因其高效和小型化的特点而备受青睐。

替代型号

SI2326DS, SI2343DS

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SI2367DS-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C66 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds561pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)