型号：K4B1G0846D-HCF0
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3L SDRAM
　　容量：8Gb (1G x 8)
　　电压：1.35V ± 0.1V
　　工作温度：0°C 至 95°C (结温)
　　封装类型：FBGA, 78-ball
　　数据速率：最高1600 Mbps (800MHz时钟)
　　组织结构：1Gb x8 / 8 banks
　　刷新模式：自动/自刷新
　　时序等级：CL=11 @ 800MHz
　　接口类型：CMOS
　　兼容标准：JEDEC DDR3L规范

K4B1G0846D-HCF0 具备多项先进的技术特性，使其成为高效能低功耗应用中的理想选择。
　　首先，该芯片采用了DDR3L（Low Voltage）架构，在维持与标准DDR3兼容的前提下将核心供电电压从1.5V降低至1.35V，从而有效减少系统整体功耗约15%-20%，特别适用于电池供电或热管理严苛的设备。其内部存储阵列为8Gb，组织成八个独立的1Gb逻辑Bank，支持交错访问和突发读写操作，极大提升了数据吞吐效率。每个Bank均可独立激活、预充电和刷新，增强了并行处理能力。
　　其次，K4B1G0846D-HCF0 支持多种节能模式，包括自刷新（Self-refresh）、电源-down模式和部分阵列自刷新（PASR）。PASR功能允许用户仅对正在使用的存储区域进行刷新，关闭未使用部分以节省电力，这在待机或轻负载状态下尤为有效。同时，芯片集成了片上温度传感器，可根据实时温度调整刷新率（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR），避免高温下数据丢失，同时在低温时降低不必要的刷新电流消耗。
　　再者，该器件具备出色的信号完整性和抗干扰能力，采用差分时钟输入（CK_t/CK_c）和数据选通信号（DQS_t/DQS_c）来实现源同步数据捕获，确保高速传输下的稳定性。数据路径支持8位或16位突发模式，兼容多种突发长度配置（BL=8或BC4/OCT）。此外，它还具备可编程CAS延迟（CL=6~11）、写入延迟（CWL=5~7）等功能，便于系统工程师根据实际时序需求进行优化配置。
　　最后，K4B1G0846D-HCF0 采用78-ball FBGA封装，尺寸紧凑（约9mm x 13mm），适合高密度PCB布线，并具备良好的散热性能。其符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。综合来看，该芯片在性能、功耗、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，是中高端嵌入式系统的优选DRAM解决方案。

K4B1G0846D-HCF0 广泛应用于各类需要高性能、低功耗动态存储的电子系统中。常见应用领域包括高清智能电视与多媒体播放设备，其中该芯片为视频解码、图形渲染和多任务操作系统提供必要的运行内存支持，保障流畅的用户交互体验。在网络通信设备方面，如路由器、交换机和光猫等，K4B1G0846D-HCF0 被用作包缓冲和路由表缓存，提升数据转发效率与系统响应速度。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC控制器、HMI人机界面和边缘计算网关，满足长时间稳定运行和宽温环境下的可靠性要求。此外，在车载信息娱乐系统（IVI）中，该器件支持导航、音频处理和无线连接功能的数据暂存，适应车辆启动/停止循环和高低温变化的工作条件。由于其低功耗特性，也常被用于机顶盒、数字标牌、监控摄像头等消费类和物联网终端设备。在某些基于ARM架构的应用处理器平台上（如Exynos、i.MX系列），K4B1G0846D-HCF0 可作为主内存直接连接到SoC的DRAM控制器接口，构建完整的嵌入式系统。得益于其工业级温度范围和长期供货保证，该芯片也被广泛采用在医疗设备、测试仪器和便携式工业手持终端等专业设备中，确保关键任务环境下的数据安全与系统稳定性。

K4B1G1646F-HCB8
　　MT41K128M8JT-125:A
　　EM68A160TSA-25H