品牌：Samsung
　　型号：K4A4G085WE-BCRCTCT
　　存储类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：8Gb (1GB)
　　数据宽度：32位
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：80
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V, VPP = 1.8V
　　时钟频率：最大有效频率可达1750MHz
　　数据速率：14Gbps（每引脚）
　　组织结构：8Gb = 512M x 16 x 8 Bank
　　工作温度：-40°C 至 +95°C（结温）
　　湿度敏感等级（MSL）：MSL 3

K4A4G085WE-BCRCTCT 作为三星GDDR6系列中的高性能显存颗粒，具备多项先进技术特性以满足现代图形处理与高性能计算的需求。首先，该芯片采用了14 Gbps的超高数据传输速率，通过双倍数据率技术实现每个时钟周期传输两次数据，从而大幅提升了总线带宽。其单颗芯片即可提供高达56 GB/s的理论带宽（基于32位接口），多颗并联使用时可构建数百GB/s的显存带宽，充分支持4K甚至8K分辨率下的实时图形渲染。
　　其次，该器件在功耗管理方面进行了优化设计。工作电压为1.35V（VDD/VDDQ）和1.8V（VPP），相比早期GDDR5的1.5V供电有所降低，结合改进的电路架构和动态电源管理机制，有效减少了整体功耗和发热，提高了能效比。这对于高密度显卡设计尤为重要，有助于延长设备寿命并提升系统稳定性。
　　再者，K4A4G085WE-BCRCTCT 支持先进的信号完整性和抗干扰技术，包括预驱动控制、可编程驱动强度、片上终端（ODT）以及差分时钟输入等，确保在高频下仍能保持稳定的信号质量。其80球FBGA封装具有良好的热传导性能和电气性能，适用于高密度PCB布局，并支持自动化贴装工艺，便于大规模生产。
　　此外，该芯片具备多Bank并发操作能力，内部组织为8个独立Bank，支持交替访问以提高效率，减少等待时间。同时兼容JEDEC标准的GDDR6协议，确保与其他系统组件的良好互操作性。其宽温工作范围（-40°C至+95°C结温）使其不仅适用于消费类显卡，也可用于工业、嵌入式及数据中心等严苛环境下的图形加速模块。

K4A4G085WE-BCRCTCT 主要应用于需要极高显存带宽和快速数据访问能力的高端电子系统中。最典型的应用领域是独立显卡（dGPU），尤其是用于游戏显卡、专业图形工作站和AI计算加速卡。例如，NVIDIA 和 AMD 的部分高端GPU模组会采用此类GDDR6颗粒作为显存，支持实时光线追踪、深度学习超采样（DLSS/FSR）以及大规模神经网络训练等计算密集型任务。
　　在游戏行业中，该芯片能够支撑4K/8K高分辨率、高刷新率的游戏画面渲染，确保流畅无卡顿的用户体验。在专业视觉领域，如影视后期制作、3D建模与动画渲染、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）系统中，其高带宽特性可加快纹理加载和帧缓冲处理速度，显著提升工作效率。
　　此外，该器件也被用于高性能计算（HPC）平台，包括数据中心内的AI推理服务器、自动驾驶感知系统、医学影像处理设备等场景。在这些应用中，GPU需频繁读写大量数据，K4A4G085WE-BCRCTCT 提供的高速存取能力成为系统性能的关键瓶颈突破点。
　　由于其高可靠性和宽温工作能力，该芯片还可用于工业控制、航空航天电子显示系统以及车载信息娱乐系统等对稳定性要求较高的嵌入式系统中。随着5G、边缘计算和元宇宙相关技术的发展，这类高性能GDDR6显存的应用范围还在持续扩展。

K4A4G085WE-BCRCWCT