时间：2025/5/22 21:41:42
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IRFH5302TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道艗沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 PQFN 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换应用。其出色的性能使其成为工业、消费电子以及汽车领域中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：31A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：1280pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IRFH5302TRPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 4.5V 栅极驱动下仅为 4.5mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 高开关速度设计，适合高频应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
3. 支持高达 175°C 的结温操作，提供卓越的热稳定性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的要求。
5. 先进的 PQFN 封装技术，能够有效减少寄生电感并提高散热性能。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如适配器和充电器。
2. 电机驱动控制，尤其是无刷直流电机（BLDC）。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统，如启动停止功能或电池管理系统。
5. 通信基础设施中的电信电源模块。
6. 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换电路。
IRF530N, IRF540N
