型号：K3N3V128MD-GC10000
　　制造商：Samsung
　　产品类型：LPDDR4X SDRAM
　　存储容量：128 Gb (16 GB)
　　组织结构：8G x 16
　　工作电压 VDD/VDDQ：0.6V ±0.05V
　　IO 电压 VDDQ：1.8V
　　时钟频率：最高支持 2133 MHz
　　数据速率：最高 4266 Mbps (8.5 GT/s)
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：未公开具体数值，典型为90或100+ ball
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C（商业级）
　　存储温度范围：-40°C 至 +95°C
　　刷新模式：支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）
　　数据总线宽度：x16
　　带宽：约 34.1 GB/s（双通道配置下）
　　工艺技术：基于20nm以下制程工艺

K3N3V128MD-GC10000 作为三星推出的高端LPDDR4X DRAM芯片，具备多项先进技术特性，使其在性能、能效和可靠性方面表现出色。首先，该芯片采用了差分时钟架构（CK_t/CK_c），支持高速同步操作，并通过源同步数据选通信号（DQS_t/DQS_c）实现精确的数据捕获，确保在高达4266 Mbps的数据速率下仍能维持稳定传输。其内部由多个独立的Bank Group构成，支持并发访问和流水线操作，显著提升了有效带宽和响应效率。此外，器件支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）、温度补偿自刷新（TCSR）以及深度掉电模式（Deep Power Down），可根据系统负载动态调整功耗状态，在待机或轻载情况下大幅降低能耗，从而延长移动设备的续航时间。
　　其次，该芯片集成了先进的片上终止电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写操作期间自动启用终端匹配，减少信号反射和噪声干扰，提升信号完整性，尤其在高频运行时更为关键。同时，它支持ZQ校准功能，允许外部控制器定期对输出驱动强度和ODT进行校正，以应对电压波动和温度变化带来的影响，保证长期运行的稳定性。K3N3V128MD-GC10000 还具备出色的热管理能力，结合TCSR技术可根据实时温度调节刷新周期，避免高温下的过度功耗或低温下的数据丢失风险。
　　再者，该器件符合JEDEC JESD209-4B标准，确保与其他LPDDR4X兼容系统的互操作性。其紧凑的FBGA封装不仅节省PCB空间，还优化了电气性能，适合高密度主板布局。最后，该芯片经过严格的质量测试和可靠性验证，适用于消费类高端智能设备的大规模量产应用。

K3N3V128MD-GC10000 主要应用于对内存带宽和能效有极高要求的移动和便携式电子设备。其最典型的应用场景是高端智能手机和平板电脑，这些设备需要处理复杂的多任务操作、高清视频播放、大型游戏渲染以及人工智能计算，因此依赖于高速、大容量且低功耗的内存支持。该芯片能够为应用处理器（如高通骁龙、三星Exynos、联发科天玑等SoC）提供充足的内存带宽，保障系统流畅运行。此外，它也被广泛用于高性能ARM架构的嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制面板以及便携式医疗设备中，尤其是在需要长时间运行且电源受限的环境中，其低电压和多种节能模式显得尤为重要。
　　在AIoT（人工智能物联网）领域，随着边缘计算设备对本地数据处理能力的要求不断提高，K3N3V128MD-GC10000 凭借其高密度存储和快速响应能力，成为许多智能摄像头、语音助手主机和智能家居中枢的优选内存方案。它还可用于某些轻量级笔记本电脑或二合一设备中，特别是在采用ARM架构处理器的Windows on ARM或Chrome OS平台上，为操作系统和应用程序提供高效的内存支持。总而言之，任何需要兼顾性能、功耗和物理空间限制的应用场景，都是K3N3V128MD-GC10000 的理想用武之地。

K3UH4H7AC-AGCL
　　K3RAF2F2CB-BGCN
　　MT53E256M16D1NP-046 WT:C
　　W9NAFAFYXB-6DJ4