K3748 时间：2025/9/21 3:08:05 阅读：23

K3748是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率管理的电子系统中。该器件采用先进的沟槽式场栅极结构工艺制造，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好平衡，适用于高频开关操作场景。K3748因其出色的热稳定性和可靠性，在工业控制、消费类电子产品以及通信设备中得到了广泛应用。其封装形式通常为小型化的表面贴装类型，例如SOT-23或类似的小型封装，便于在空间受限的PCB布局中使用。该MOSFET设计用于在低电压控制信号下实现高效的负载切换能力，支持逻辑电平驱动，使其可以直接由微控制器或其他数字逻辑电路驱动而无需额外的驱动级电路。此外，K3748具备优良的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，提升了其在瞬态过压和电流冲击下的耐用性，适合严苛的工作环境。该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品对环境友好型元器件的要求。

参数

型号：K3748
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（@ Vgs=10V）
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：400mA
　　栅源阈值电压（Vgs_th）：典型值1.5V，最大值2.3V
　　导通电阻（Rds_on）：典型值3.5Ω（@ Vgs=4.5V），最大值5.0Ω
　　输入电容（Ciss）：约110pF（@ Vds=15V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约65pF
　　反向传输电容（Crss）：约20pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值3.8nC（@ Vgs=10V）
　　耗散功率（Pd）：200mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

K3748采用先进的沟槽型MOSFET技术，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来增加单位面积内的沟道宽度，从而显著降低导通电阻并提升电流处理能力。这一设计使得器件在保持小尺寸的同时仍能提供良好的导电性能，特别适用于便携式设备和高密度电路板设计。其低Rds(on)特性有助于减少导通损耗，提高整体系统效率，尤其在电池供电设备中可延长续航时间。
　　该器件具有优异的开关特性，包括快速的上升和下降时间以及较低的栅极电荷（Qg），这使其非常适合高频PWM控制应用，如LED调光、步进电机控制和同步整流等场合。由于其输入电容较小，驱动电路所需提供的能量也相应减少，进一步降低了驱动功耗。同时，K3748的栅源阈值电压较低，可在3.3V甚至更低的逻辑电平下可靠开启，兼容现代微处理器和FPGA的I/O电压水平，无需额外的电平转换电路。
　　热稳定性方面，K3748表现出良好的温度系数特性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。内部结构经过优化以增强散热能力，即使在满负荷运行时也能有效控制温升。此外，器件具备较强的抗静电放电（ESD）能力，并通过了严格的可靠性测试，确保在复杂电磁环境中长期稳定运行。内置的体二极管提供了反向电流路径，在感性负载切换过程中起到保护作用，防止因反电动势导致的损坏。综合来看，K3748是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种中低功率应用场景。

应用

K3748常用于各类中小功率开关电路中，典型应用包括但不限于：便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路；在DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关使用，以提高转换效率；用于LED照明系统的恒流驱动与调光控制，实现精确的亮度调节；在电机驱动电路中作为H桥结构的一部分，控制微型直流电机或步进电机的正反转及启停操作；还可用于传感器模块的电源使能控制，实现按需供电以节省能耗。此外，该器件也常见于各种工业自动化设备、家用电器控制板以及通信接口电路中，执行信号切换、隔离和电平转换功能。得益于其小型封装和良好的热性能，K3748特别适合空间紧凑且对散热有要求的设计方案。