时间：2025/11/7 20:45:06
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AME8510AEEVAFE31Z是一款由安美半导体（Anpec Electronics Corp.）推出的高性能低压差线性稳压器（LDO），专为便携式电子设备和对电源噪声敏感的应用而设计。该器件采用先进的CMOS工艺制造，能够在极低的静态电流下提供稳定的输出电压，同时具备出色的负载和线路调节能力。其小型化封装（如DFN或SOT-23）非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、可穿戴设备、物联网终端以及各类电池供电系统。AME8510AEEVAFE31Z的固定输出电压版本通常为3.1V，能够持续提供高达150mA的输出电流，满足大多数低功耗微控制器、传感器和射频模块的供电需求。此外，该LDO具有快速瞬态响应特性，可以在负载电流迅速变化时维持输出电压的稳定，避免系统因电压波动而出现异常。器件内部集成了过温保护和过流保护功能，确保在异常工作条件下仍能安全运行，提高了系统的整体可靠性。AME8510AEEVAFE31Z还具备高电源抑制比（PSRR），有效滤除输入电源中的高频噪声，为敏感模拟电路提供干净的电源轨。得益于其低静态电流（典型值约2.5μA）和低关断电流（小于1μA）的特性，该芯片特别适用于需要长时间待机或依靠电池长期工作的应用。通过优化设计，AME8510AEEVAFE31Z在轻载条件下的效率表现优异，有助于延长设备的续航时间。用户在使用时仅需在输出端连接一个小型陶瓷电容即可实现稳定工作，简化了外围电路设计，降低了整体BOM成本。
型号：AME8510AEEVAFE31Z
制造商：Anpec Electronics Corp.
封装类型：DFN1x1-4
引脚数：4
输出类型：固定
输出电压：3.1V
输出电流：150mA
静态电流：2.5μA（典型值）
关断电流：<1μA
输入电压范围：2.0V ~ 6.0V
压差电压：180mV @ 150mA
电源抑制比（PSRR）：60dB @ 1kHz
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
保护功能：过温保护、过流保护
调节类型：正向固定输出
安装方式：表面贴装
AME8510AEEVAFE31Z作为一款高性能CMOS结构的低压差线性稳压器，其核心优势在于极低的静态电流与卓越的电源噪声抑制能力，使其成为电池供电类电子产品的理想选择。该器件采用先进的制造工艺，在保证高集成度的同时实现了超低功耗运行，静态电流典型值仅为2.5μA，显著优于传统双极型LDO。这一特性使得即使在长期待机状态下，系统整体能耗也能保持在极低水平，从而大幅延长电池使用寿命，尤其适合应用于智能手环、无线传感器节点、蓝牙耳机等对能效要求严苛的便携式设备。
在电气性能方面，AME8510AEEVAFE31Z展现出优异的动态响应能力和稳定性。其内部补偿电路经过精心设计，仅需一个1μF的微型陶瓷电容即可确保全负载范围内的环路稳定，无需额外添加复杂的外部元件，极大简化了PCB布局并节省了布板空间。与此同时，该LDO具备高达60dB@1kHz的电源抑制比，能够有效衰减来自上游电源（如开关电源或充电管理单元）的纹波和噪声，为MCU、ADC、RF收发器等敏感电路提供纯净的供电电压，提升系统信号完整性和抗干扰能力。
安全性与可靠性同样是该芯片的重要设计考量。集成的过温保护机制可在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出，防止热失控；而内置的电流限制功能则可在输出短路或过载情况下限制最大输出电流，避免损坏器件或影响整个电源系统。此外，其宽输入电压范围（2.0V~6.0V）支持多种电池类型（包括单节锂离子/聚合物电池、两节碱性电池等），增强了应用灵活性。DFN1x1小型封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于高密度组装环境。综上所述，AME8510AEEVAFE31Z凭借其低功耗、小尺寸、高稳定性和强抗干扰能力，已成为现代低功耗电子产品中不可或缺的关键电源管理元件。
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AP2112K-3.1TRG1, XC6206P311MR-G
