时间：2025/7/26 6:59:19
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IXTM24N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司设计制造。这款MOSFET适用于高功率开关应用，如电源转换器、马达控制和工业自动化设备。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的热性能，适用于需要高效能和可靠性的应用环境。
类型：N沟道
最大漏极电流：24A
最大漏-源电压：500V
导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω
栅极电压范围：±30V
功耗：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTM24N50具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其导通电阻较低，能够有效减少功率损耗并提高效率。其次，该MOSFET具有高耐压能力，最大漏-源电压可达500V，适合用于高压环境。此外，IXTM24N50的封装设计优化了散热性能，使其在高电流操作下保持稳定的工作温度。
该器件的栅极电压范围较宽，为±30V，提供了更大的灵活性，同时具备较高的抗过载能力。其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，可以在极端环境条件下保持可靠性。最后，TO-247封装确保了良好的机械稳定性和易于安装，适用于各种工业级应用。
IXTM24N50广泛应用于多个领域，包括电源供应器、直流电机驱动、电池充电器、逆变器和工业控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为电源转换器的理想选择，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。此外，该MOSFET还可用于开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器以及高功率LED驱动电路。
IXTP24N50, IRF840, FDPF24N50
