K2918-01 时间：2025/8/9 10:56:18 阅读：9

K2918-01是一款由韩国厂商KEC（Korea Electronics Corporation）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的导热性和较高的电流承载能力，适用于如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和电池充电器等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：9A（最大）
　　导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K2918-01 MOSFET具有低导通电阻，使得在高电流条件下能够减少功率损耗并提高效率。其高耐压能力（500V Vds）使其适用于高压电源系统。此外，该器件的封装形式（TO-220）便于安装在散热片上，提升散热性能。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定运行。栅极驱动电压范围宽广，允许在不同的控制电路中灵活应用。此外，K2918-01具备较快的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　由于其良好的耐久性和可靠性，K2918-01广泛应用于工业设备、消费电子产品和电源管理系统中。其设计符合RoHS标准，支持环保应用。

应用

K2918-01 MOSFET通常用于电源管理电路，如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)和LED照明驱动器。此外，它也适用于电机控制、逆变器、电池充电器和DC-DC转换器等高功率应用。在工业自动化系统中，该器件可作为功率开关，用于控制各种高功率负载。消费电子产品中的电源模块也常采用该MOSFET，以提高能效和稳定性。