时间：2025/8/24 20:42:54
阅读：7
HUF76129S3STK 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于高效率电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：D2PAK-3（表面贴装）
HUF76129S3STK MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET结构，能够提供极低的导通电阻，从而降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的Rds(on)值在Vgs=10V时仅为4.8毫欧，这使其在高电流应用中表现尤为出色。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流可达100A，非常适合用于需要高功率密度的设计。其高耐压特性（Vds为30V）也确保了在多种电源拓扑结构中的稳定运行。
该器件的封装形式为D2PAK-3，属于表面贴装型封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动贴片和回流焊工艺，便于大批量生产和组装。
HUF76129S3STK还具备出色的热稳定性，能够在高达175°C的结温下正常工作，适应严苛的工作环境。其栅极驱动电压范围宽（±20V），可兼容多种驱动电路设计，提升了设计灵活性。
该MOSFET还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用场合。
HUF76129S3STK 主要应用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及各种电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于需要高功率密度和高效能的工业控制设备、服务器电源、电动汽车电子系统以及储能系统中的功率控制部分。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1405, IPW90R120I-ATMA1
