时间：2025/8/9 9:01:07
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K2871-01 是一款由东芝（Toshiba）公司设计的 N 沟道功率 MOSFET，常用于高频率开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的电子设备中。这款 MOSFET 具备较低的导通电阻和高功率密度，能够满足对效率和热管理要求较高的应用需求。K2871-01 通常采用 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大漏极电流（Id）：7A
导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω
功率耗散（Pd）：30W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
K2871-01 功率 MOSFET 的一大特点是其较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件的高耐压特性使其适用于多种中高功率应用。此外，K2871-01 的 TO-220 封装形式提供了良好的散热能力，确保器件在高电流负载下仍能保持稳定运行。
其栅极驱动特性也较为理想，能够与常见的驱动电路兼容。此外，该 MOSFET 的响应速度快，适合用于高频开关操作。K2871-01 还具备良好的热稳定性和可靠性，在长时间运行和高温环境下依然表现稳定。
K2871-01 广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制电路以及各种电源管理系统。由于其具备良好的导通特性和较高的耐压能力，该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源转换设备。此外，它也可用于负载开关、逆变器和功率放大器等应用场景。
K2871, 2SK2871, IRF540N, FQP7N10
