时间：2025/8/11 19:18:07
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CRSM034N06N4Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，具备低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性。适用于电源转换器、DC-DC变换器、马达控制、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：34A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值34mΩ（典型值更低）
功率耗散（Ptot）：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
CRSM034N06N4Z 的关键特性之一是其低导通电阻，这可以显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术，确保了优异的开关性能和稳定的导通特性。此外，它具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在高压瞬态条件下提供更强的稳定性。
该MOSFET的封装形式为PowerFLAT 5x6 HV，具备良好的热管理能力，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高效散热设计。器件的栅极驱动电压范围宽广，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路设计。
在可靠性方面，CRSM034N06N4Z 通过了AEC-Q101认证，符合汽车电子应用的严格要求，适用于电动汽车、车载充电器、电动助力转向系统等高端应用。
CRSM034N06N4Z 被广泛应用于汽车电子系统，如车载DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）和充电器模块。在工业领域，它也常见于开关电源（SMPS）、伺服电机控制、光伏逆变器和储能系统。此外，该器件还适用于消费类电子产品中的高功率负载开关和电源管理单元。
STL34N60M5, IPW60R034P7, FDP34N60FS
