K2808-01MR 时间：2025/8/9 11:38:26 阅读：9

K2808-01MR 是一款由 Kinetic Technologies（原 KEC Corporation）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种高功率应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：17nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

K2808-01MR 的核心特性在于其优异的导通性能和热稳定性。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，在低电压应用中实现了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其最大漏极电流可达 8A，并可在高达 30V 的漏极-源极电压下稳定运行，适用于多种中低功率应用。
　　此外，该 MOSFET 的栅极电荷较低（Qg 为 17nC），有助于降低开关损耗，提升开关频率下的性能表现。其 ±20V 的栅极-源极电压容限提供了更高的可靠性，适用于多种驱动电路设计。
　　在热管理方面，TO-252 封装具备良好的散热性能，使得该器件在高功率密度设计中也能保持稳定的热表现，适用于高电流负载环境。
　　综合来看，K2808-01MR 在效率、热管理和可靠性方面都表现出色，是多种电源管理应用的理想选择。

应用

K2808-01MR 主要用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件非常适合用于高效率电源模块、笔记本电脑电源管理、电池供电设备以及服务器和通信设备中的电源子系统。此外，它也适用于工业自动化、LED 驱动器和电池管理系统等高要求的应用场景。