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MTP6N60 发布时间 时间:2025/7/23 5:29:11 查看 阅读:7

MTP6N60 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。这款 MOSFET 具有较高的耐压能力,最大漏源电压(VDS)为 600V,适合用于高电压环境下的功率转换和控制。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大连续漏极电流(ID):6A
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):约 1.5Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-220、DPAK 等

特性

MTP6N60 的主要特性包括高耐压能力和较高的电流承载能力,使其在高电压应用中表现出色。该器件具有较低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,MTP6N60 采用了先进的平面工艺技术,提供了较高的可靠性和稳定性。
  该 MOSFET 还具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其封装设计(如 TO-220)使得散热效果更佳,适用于需要长时间运行的高功率应用。MTP6N60 在设计上优化了开关特性,减少了开关损耗,适合用于高频开关电源和电机控制电路。
  另外,MTP6N60 的栅极驱动特性较为简单,易于与其他电路集成,适合用于各种功率转换和控制应用。其 ±30V 的栅源电压耐受能力也为设计提供了更大的灵活性。

应用

MTP6N60 主要应用于各种高电压和高功率场景,如开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器、充电器和电源管理模块。它也常用于工业自动化设备、照明系统和消费类电子产品中的功率转换电路。此外,MTP6N60 还可用于 DC-DC 转换器、电池管理系统以及各种需要高电压开关能力的电子设备。

替代型号

IRF630, FQP6N60, STP6NK60Z

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