H9CCNNN8JTALAR-NTD是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列,专为高性能计算、移动设备及嵌入式系统设计。这款芯片采用先进的制造工艺,具备高速数据传输能力和较低的功耗,适用于对性能和能效都有较高要求的应用场景。
类型:DRAM
系列:LPDDR4
容量:8Gb(1GB)
封装类型:FBGA
数据速率:3200Mbps
工作电压:1.1V(VDD)/ 0.6V(VDDQ)
数据总线宽度:16位
封装尺寸:122 balls
时钟频率:1600MHz
温度范围:-40°C至+85°C
制造厂商:SK Hynix
H9CCNNN8JTALAR-NTD作为LPDDR4系列的DRAM芯片,具备多项显著的性能优势。首先,其数据传输速率达到3200Mbps,显著提升了数据处理能力,满足了对高速内存需求的应用场景。其次,该芯片的工作电压分别为1.1V和0.6V,相较于前代LPDDR3产品,功耗降低了约20%至30%,特别适用于对功耗敏感的移动设备和电池供电系统。
该芯片采用122 balls的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,确保了良好的电气性能和热稳定性,适用于紧凑型高密度PCB设计。此外,H9CCNNN8JTALAR-NTD支持多种低功耗模式,如自刷新(Self-Refresh)、深度掉电模式(Deep Power-Down)等,有助于进一步延长设备的续航时间。
该DRAM芯片具备良好的兼容性和稳定性,支持JEDEC标准,并可通过内部模式寄存器进行配置,适应不同的系统需求。其支持的温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和消费级应用场景。
H9CCNNN8JTALAR-NTD广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息系统以及高性能嵌入式系统等。由于其高速数据传输能力与低功耗特性,它也非常适用于人工智能加速模块、边缘计算设备和物联网(IoT)网关等新兴领域。此外,该芯片还可用于工业控制设备、智能摄像头、无人机和可穿戴设备等对空间和能效要求较高的电子产品。
H9CCNNN8JTALBR-NTD
H9CCNNN8JTPLAR-NTD
H9CCNNN8JTALVR-NTD