时间：2025/9/2 6:12:19
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H9CCNNN8JTALAR-NTD是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，专为高性能计算、移动设备及嵌入式系统设计。这款芯片采用先进的制造工艺，具备高速数据传输能力和较低的功耗，适用于对性能和能效都有较高要求的应用场景。
类型：DRAM
系列：LPDDR4
容量：8Gb（1GB）
封装类型：FBGA
数据速率：3200Mbps
工作电压：1.1V（VDD）/ 0.6V（VDDQ）
数据总线宽度：16位
封装尺寸：122 balls
时钟频率：1600MHz
温度范围：-40°C至+85°C
制造厂商：SK Hynix
H9CCNNN8JTALAR-NTD作为LPDDR4系列的DRAM芯片，具备多项显著的性能优势。首先，其数据传输速率达到3200Mbps，显著提升了数据处理能力，满足了对高速内存需求的应用场景。其次，该芯片的工作电压分别为1.1V和0.6V，相较于前代LPDDR3产品，功耗降低了约20%至30%，特别适用于对功耗敏感的移动设备和电池供电系统。
该芯片采用122 balls的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，确保了良好的电气性能和热稳定性，适用于紧凑型高密度PCB设计。此外，H9CCNNN8JTALAR-NTD支持多种低功耗模式，如自刷新（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power-Down）等，有助于进一步延长设备的续航时间。
该DRAM芯片具备良好的兼容性和稳定性，支持JEDEC标准，并可通过内部模式寄存器进行配置，适应不同的系统需求。其支持的温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和消费级应用场景。
H9CCNNN8JTALAR-NTD广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息系统以及高性能嵌入式系统等。由于其高速数据传输能力与低功耗特性，它也非常适用于人工智能加速模块、边缘计算设备和物联网（IoT）网关等新兴领域。此外，该芯片还可用于工业控制设备、智能摄像头、无人机和可穿戴设备等对空间和能效要求较高的电子产品。
H9CCNNN8JTALBR-NTD
H9CCNNN8JTPLAR-NTD
H9CCNNN8JTALVR-NTD
