时间：2025/11/13 17:27:02
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KM732V688T-13是一款由三星（Samsung）生产的LPDDR4X SDRAM（低功耗双倍数据率4X同步动态随机存取存储器）芯片，主要用于移动设备和嵌入式系统中。该器件采用先进的封装技术，具备高密度存储能力和出色的能效表现，适用于智能手机、平板电脑、便携式计算设备以及其他对功耗敏感的应用场景。KM732V688T-13的命名遵循三星的内存颗粒编码规则，其中“KM”代表存储产品系列，“73”表示其属于LPDDR4X类别，“2V”可能指代电压等级或工艺代数，“688”标识容量与组织结构，“T”通常表示FBGA封装形式，“13”则可能代表速度等级或特定批次/频率配置。该芯片工作在较低的核心电压（VDD/VDDQ）下，一般为1.1V，而I/O电压（VDDQ）同样优化以降低功耗，支持高速数据传输速率，典型数据速率为1600Mbps至2133Mbps之间，具体取决于其标定的速度等级。该内存芯片通过双通道架构设计实现更高的带宽效率，并支持多种低功耗模式，如自刷新、深度掉电等，从而延长电池续航时间。
型号：KM732V688T-13
制造商：Samsung
存储类型：LPDDR4X SDRAM
容量：32Gb（4GB）
组织结构：x16位宽
工作电压：1.1V（VDD/VDDQ）
输入/输出电压：1.1V
最大时钟频率：1066MHz（等效数据速率2133Mbps）
封装类型：FBGA
引脚数：根据标准LPDDR4X FBGA定义（通常为90或100球栅阵列）
温度范围：商业级（0°C 至 +70°C），工业级可选
数据速率：1600~2133 Mbps
接口类型：并行同步
刷新模式：自动刷新、自刷新
功能特性：支持ZQ校准、动态电压频率切换（DVFS）、温度补偿自刷新（TCASR）
KM732V688T-13作为一款高性能低功耗的LPDDR4X SDRAM芯片，其核心优势在于卓越的能效比与高带宽能力。该芯片采用先进的DRAM工艺制造，内部存储阵列为32Gb（即4GB），以x16的I/O位宽进行数据传输，适合多任务处理和高吞吐量应用场景。其运行电压仅为1.1V，相较于传统的LPDDR4进一步降低了约10%~20%的功耗，尤其在高频操作下仍保持良好的热稳定性。芯片支持双通道（Dual Channel）架构，每个通道可独立访问，有效提升内存并发性能，减少延迟冲突，提高整体系统响应速度。此外，KM732V688T-13集成了多种节能机制，包括温度感知刷新控制（Temperature Compensated Auto Refresh, TCAR）、深度掉电模式（Deep Power Down Mode）以及动态电压与频率调节（DVFS），可根据处理器负载实时调整工作状态，最大限度节省电力消耗。
在信号完整性方面，该器件优化了内部布线与驱动电路设计，具备较强的抗噪声能力和稳定的读写时序，确保在紧凑型PCB布局中依然能够可靠运行。它还支持ZQ校准功能，允许系统通过外部参考电阻自动调整输出驱动强度和终端阻抗，维持最佳匹配状态，防止信号反射导致的数据错误。为了适应现代移动平台对小型化的需求，KM732V688T-13采用细间距FBGA封装，体积小巧，便于集成于空间受限的主板上，同时提供良好的散热路径。该芯片符合RoHS环保标准，无铅且兼容主流回流焊工艺，适用于自动化大规模生产。其内置错误检测逻辑可辅助识别部分常见的运行异常，提升系统的长期稳定性。
KM732V688T-13广泛应用于各类便携式电子设备和高性能嵌入式系统中。其主要使用场景包括高端智能手机和平板电脑，在这些设备中承担主内存角色，支持流畅的多任务切换、大型应用程序运行以及高清视频播放。由于其低功耗特性，特别适用于注重续航能力的移动终端，如超薄笔记本、二合一设备及移动热点模块。此外，该芯片也被用于车载信息娱乐系统（IVI）、智能电视盒子、AI边缘计算模组以及无人机控制系统等需要高效内存管理的领域。在人工智能推理边缘设备中，KM732V688T-13能够为NPU或GPU提供快速的数据缓存支持，保障神经网络模型运算过程中的内存带宽需求。其高可靠性也使其适用于部分工业控制设备和医疗便携仪器，尤其是在需要长时间连续运行且环境温度变化较大的场合。配合先进的SoC平台（如高通骁龙、联发科天玑、三星Exynos等），该内存颗粒可以充分发挥其性能潜力，构建完整的低功耗高性能移动计算生态系统。
MT53E32M16D1NP-046 WT:C
W9425G6KH-13
