K2740 时间：2025/9/14 1:24:24 阅读：38

K2740是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率放大电路中。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种高频率和高功率的应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：400V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：12A（在25℃）
　　功耗(Pd)：125W
　　导通电阻(Rds(on))：0.27Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

特性

K2740的主要特性包括低导通电阻，这使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率；高栅极绝缘性能，确保器件在高电压下安全稳定运行；快速开关速度，适用于高频率开关电路，从而减少开关损耗；良好的热稳定性，支持在高温环境下运行。此外，该器件的封装形式多样，适合不同应用场景的安装和散热需求。
　　这款MOSFET还具有过热保护功能，当温度超过额定值时，器件会自动降低导通能力以防止损坏。同时，其高雪崩能量承受能力使其在突发的电压冲击情况下仍能保持稳定运行。

应用

K2740广泛应用于多种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动器、逆变器以及音频功率放大器等。由于其高耐压和大电流能力，K2740特别适用于需要高可靠性和高效率的工业控制和消费类电子产品中。此外，它也可用于电源管理模块和电池充电系统，以实现高效的能量转换和稳定的输出性能。