尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　电容值：8.2nF (8200pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：100V DC
　　介质类型：X7R
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：±15% 在 -55°C 至 +125°C 范围内
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）

1210B822K101CT 作为一款基于X7R陶瓷介质的多层陶瓷电容器，具备出色的温度稳定性与可靠的电气性能。X7R材料是一种高介电常数的铁电陶瓷，在宽温度范围内能够维持相对稳定的电容值，具体表现为在-55°C到+125°C之间电容变化不超过±15%，这使得该器件非常适合工作环境温度波动较大的应用场景，如工业控制系统、车载电子设备或户外通信单元。相较于COG/NPO类电容器虽然牺牲了一定的线性度和Q值，但换来了更高的单位体积电容密度，从而在有限的PCB空间内实现更高效的储能与滤波功能。
　　该电容器的标称电容为8.2nF（8200pF），容差控制在±10%，这一精度水平足以满足大多数模拟与数字电路中的去耦、耦合及滤波需求。其额定直流电压为100V，意味着可在高达100V的持续工作电压下安全运行，具备一定的过压裕量，增强了系统可靠性。在实际应用中，即使施加接近额定电压的偏置，X7R材料也会因直流偏压效应导致有效电容下降，因此设计时需参考制造商提供的DC bias曲线进行降额使用，以确保电路性能不发生显著偏离。
　　机械结构方面，1210B822K101CT采用表面贴装封装，端电极为镍/锡镀层，具有良好可焊性，并兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保标准。其卷带包装（T标志）便于自动化贴片机供料，提升生产效率。此外，多层堆叠结构不仅提高了电容值，还降低了等效串联电感（ESL），有助于在较高频率下保持良好的阻抗特性，适用于中高频噪声抑制场景。整体而言，该器件在性能、成本与可用性之间取得了良好平衡，是现代电子产品中广泛应用的基础被动元件之一。

1210B822K101CT 多层陶瓷电容器被广泛应用于多种电子系统中，主要发挥电源去耦、信号滤波、交流旁路和噪声抑制等功能。在电源管理电路中，它常被放置于集成电路（如MCU、FPGA或DC-DC转换器）的供电引脚附近，用于吸收瞬态电流波动，稳定局部电压，防止因开关噪声引起的误操作。其100V额定电压使其适用于中高压电源轨，例如工业设备中的12V、24V或48V系统，也可用于辅助电源或隔离式电源模块中进行跨级滤波。
　　在模拟前端电路中，该电容器可用于构建RC低通或高通滤波网络，配合电阻和运算放大器完成信号调理任务。由于X7R介质具有一定非线性且受电压影响较大，虽不适合精密积分、定时或谐振电路，但在一般音频处理、传感器信号预处理等对精度要求不极端严苛的场合仍能胜任。此外，在射频和无线通信模块中，它可以作为偏置电路的旁路电容，将高频干扰引导至地平面，提高信号链路的信噪比。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，该型号凭借其小型化封装和可靠性能，被大量用于主板上的去耦网络布局。同时，在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）和ADAS传感器单元中，其宽温工作能力确保了在发动机舱高温或冬季极寒条件下的正常运行。工业自动化设备、PLC控制器、电机驱动板等也普遍采用此类元件以增强电磁兼容性（EMC）表现。总而言之，1210B822K101CT 凭借其稳定的电气特性、成熟的制造工艺和广泛的供应渠道，成为现代电子设计中不可或缺的标准被动器件之一。

GRM32DR71H822KA12L
　　C322C822K1G1RACTU
　　CL31A822KP1NNNC