时间：2025/6/21 3:18:22
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GQM2195G2H6R4BB12J 是一款高性能的工业级存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片采用先进的制程工艺制造，提供大容量、高可靠性和低功耗的特性，适用于各种嵌入式系统和数据存储应用。
该型号集成了纠错码（ECC）功能，能够有效提升数据完整性和存储寿命。此外，其优化的接口设计支持高速数据传输，满足现代设备对高效存储解决方案的需求。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：ONFI 3.1
工作电压：2.7V 至 3.6V
数据传输速率：高达 200MB/s
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA
I/O 引脚数：64
擦写寿命：3000 次（典型值）
GQM2195G2H6R4BB12J 具有以下显著特性：
1. 高容量存储能力，适合大规模数据存储需求。
2. 内置 ECC 功能，增强数据可靠性。
3. 支持多种错误检测和纠正机制，降低误码率。
4. 超低功耗设计，延长电池供电设备的续航时间。
5. 宽工作温度范围，适应极端环境条件下的应用。
6. 高速数据接口，确保快速的数据存取和传输性能。
这款芯片广泛应用于各类需要大容量存储和高可靠性的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 工业自动化设备中的数据记录和程序存储。
2. 嵌入式计算平台上的操作系统和应用程序存储。
3. 视频监控系统中的本地存储单元。
4. 医疗设备中的关键数据保存。
5. 物联网终端节点的大容量数据缓存。
6. 汽车电子系统中的导航地图和行车数据存储。
GQM2195G2H6R4BA12J, GQM2195G2H6R4BC12J
